元器件应用中的V-MOS场效应管

1.V-MOS场效应管的结构　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。　　当给源极和漏极间加上电压UDS，若栅极电位为零或负，由于PN结反向偏置，漏极与源极间没有电流流过，ID=O;当栅极接大正电压时，由于电荷感应，在  P-型区感应出电子，由于电子的积累，形成了N型沟道。该沟道连通了N+型区和N-型区，在源极和漏极之间便产生了电流，电流的大小取决于栅极上正电压的大小。    N沟道增S虽型V-MOS场效应管结构示意图