P沟道功率MOSFET_下载资源_代码源码-CSDN下载

电源技术中的瑞萨发布 P沟道功率MOSFET 瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始...

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NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品 NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4...

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元器件应用中的Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。　这些新型P沟道功率MOSFET基于Siliconix的先进P沟道TrenchFET技术，它们的...

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元器件应用中的Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET 宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70?封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET? P沟道技术...

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汽车电子中的NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品 NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4...

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模拟技术中的NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极...

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元器件应用中的Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET 宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在...

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电源技术中的NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。　该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，...

评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-11-25

安森美新型低压沟道MOSFET 安森美半导体（ON Semiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决...

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电源技术中的飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低...

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研诺推出P沟道限流型MOSFET功率开关芯片AAT4620 专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)，日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620，适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端...

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功率器件心得——功率MOSFET心得功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力...功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道

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元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：...

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NCE40P05Y-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析 NCE40P05Y-VB 是一款 P沟道 SOT23 封装 MOSFET，主要应用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关和 DC/DC 转换器等领域。特点 1. TrenchFET® Power MOSFET，具有高效能和低功耗的特点。 2. 100 % Rg Tested，...

评级：0 浏览量：18 收藏量：0 资源大小：393KB 上传时间：2024-01-09

NEC电子推出8款汽车用功率MOSFET产品 NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。　　此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，...

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QM2423K-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析 QM2423K-VB P沟道SOT23封装MOSFET应用分析 QM2423K-VB是一款P沟道SOT23封装MOSFET，具有低电压损失和高速开关能力，广泛应用于Load Switch、PA Switch、DC/DC Converters等领域。 MOSFET基本参数 * 额定Drain-...

评级：0 浏览量：12 收藏量：0 资源大小：382KB 上传时间：2024-01-08

功率半导体系列报告：功率MOSFET 根据载流子种类与掺杂方式，MOSFET 可以被分为 4 种类型：N 沟道增强型、N 沟道耗尽型、P 沟道增强型、P 沟道耗尽型。在《总览》中我们提到，功率半导体行业是一个需求驱动型的行业，因此功率 MOSFET 行业的市场...

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Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK? SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和...

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元器件应用中的Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench? 工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低...

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AO4459-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 AO4459-VB是一种P沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），它是一种面向通用应用的功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、低漏电流和高开关速度等特点，适用于各类电子设备和电力系统。 AO...

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元器件应用中的功率器件心得——功率MOSFET心得功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力...功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道

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NCE55P05S-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 NCE55P05S-VB 是一种 P沟道 SOP8 封装 MOSFET，具有低阻抗和高速度的特点，主要应用于电子设备中的电源管理和开关电路中。特点 * TrenchFET® power MOSFET * 100% Rg 和 UIS 测试 * Pulse 测试：脉宽 ≤ 300 μs...

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SI9933CDY-T1-GE3-VB一款2个P沟道SOP8封装MOSFET应用分析 SI9933CDY-T1-GE3-VB 是一种双 P沟道 SOP8 封装 MOSFET，具有高性能和可靠性，是一种广泛应用于电子行业的器件。在本文中，我们将对 SI9933CDY-T1-GE3-VB 的特点、应用场景和技术参数进行详细介绍。特点 SI9933...

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汽车电子中的NEC电子推出8款汽车用功率MOSFET产品 NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。　　此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，...

评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：109KB 上传时间：2020-12-03

AO3409-VB一种P沟道SOT23封装MOS管 AO3409-VB MOSFET是一种P沟道SOT23封装的功率MOSFET，由Diodes Incorporated公司生产。该器件具有低导通电阻和高电流能力，适合用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关、DC/DC变换器等应用。 AO3409-VB ...

评级：0 浏览量：16 收藏量：0 资源大小：435KB 上传时间：2023-12-28

AO4421-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 AO4421-VB P沟道SOP8封装MOS管 AO4421-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管，具有低RDS(on)和高 IDM，适用于各种电源管理和电子设备应用。特性 * TrenchFET® power MOSFET * 100 % Rg and UIS tested * 低RDS(on)：0....

评级：0 浏览量：15 收藏量：0 资源大小：442KB 上传时间：2023-12-25

AO4821-VB一种2个P沟道SOP8封装MOS管 AO4821-VB 2个P沟道SOP8封装MOS管 AO4821-VB是一种双P沟道MOS管，封装在SOP8封装中。该器件具有低.on阻抗和高输出电流能力，...AO4821-VB是一种高性能的双P沟道MOS管，非常适合各种电子设备的功率开关和电压调整应用。

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AO4413-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 AO4413-VB P沟道SOP8封装MOS管 AO4413-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管，具有低阻抗和高电流承载能力。该MOS管适用于负载开关和笔记本电脑适配器开关等应用场景。特点 * 升压型MOS管，电压等级为30V * TrenchFET ® ...

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AP9435GH-VB一种P沟道TO252封装MOS管 AP9435GH-VB P沟道MOSFET详解 AP9435GH-VB是一种P沟道MOSFET，采用TO252封装，具有高性能和高可靠性的特点。本文将详细介绍AP9435GH-VB的特性、应用场景、绝对最大额定值、热阻特性、静态电流特性等方面的知识点。 ...

评级：0 浏览量：12 收藏量：0 资源大小：391KB 上传时间：2023-12-19

AO3401-VB一种P沟道SOT23封装MOS管 AO3401-VB P沟道SOT23封装MOS管 AO3401-VB是一种P沟道SOT23封装MOS管，主要应用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关、DC/DC变换器等领域。下面是对该MOS管的详细介绍：特点 AO3401-VB是一种TrenchFET® ...

评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：424KB 上传时间：2023-12-22

AP6679GM-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 AP6679GM-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管，具有Halogen-free和TrenchFET Power MOSFET特性。该器件经过100% Rg测试和100% UIS测试，确保了其高可靠性和稳定性。在应用方面，该器件常用于Load Switch和Notebook ...

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功率MOSFET的参数那么多，实际应用中该怎么选？功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面...　和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不

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RJJ0601JPE-VB一种P沟道TO263封装MOS管 RJJ0601JPE-VB P沟道TO263封装MOS管知识点概述 RJJ0601JPE-VB是一种P沟道TO263封装MOS管，它具有低热阻抗封装和100% Rg测试的特点。该MOS管适用于需要高性能和高可靠性的应用场景。特性 * TrenchFET® Power ...

评级：0 浏览量：9 收藏量：0 资源大小：391KB 上传时间：2024-01-02

元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两...

评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：148KB 上传时间：2020-11-12

SI7617DN-VB一种P沟道DFN8(3X3)封装MOS管 * P沟道MOSFET * 30 V (D-S) MOSFET * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 低热阻抗PowerPAK®包装 * 小尺寸和低1.07 mmProfile * 100% Rg和UIS测试 * 符合RoHS ...

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FDC658AP-VB一种P沟道SOT23-6封装MOS管 FDC658AP-VB P沟道MOSFET FDC658AP-VB是一种P沟道SOT23-6封装MOSFET，具有低电阻和高电流承载能力，非常适合在Load Switch应用中使用。特点 * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 * TrenchFET® Power ...

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AP2625GY-VB一种2个P沟道SOT23-6封装MOS管 AP2625GY-VB是一种双通道P沟道MOSFET，封装在SOT23-6封装中。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于便携式应用和计算机总线开关。功能特点 * 双通道P沟道MOSFET * 低导通电阻（RDS(on)）：200mΩ typ. @ VGS ...

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FDS4435-NL-VB一种P沟道SOP8封装MOS管 FDS4435-NL-VB P沟道SOP8封装MOS管 FDS4435-NL-VB是一种P沟道SOP8封装MOS管，主要应用于Load Switch和Battery Switch领域。该MOS管具有TrenchFET Power MOSFET结构，100%经过Rg测试。下面是该MOS管的详细特性和参数...

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MOSFET详解.pdf NMOSFET 的沟道类型为 N 型，PMOSFET 的沟道类型为 P 型。NMOSFET 的工作原理是当栅极电压高于阈值电压时，栅极吸引电子，引发沟道导电。PMOSFET 的工作原理是当栅极电压低于阈值电压时，栅极排斥电子，引发沟道导电...

评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：647KB 上传时间：2023-02-20

AO4606A-VB场效应管一款N+P沟道SOP8封装的晶体管 AO4606A-VB场效应管是一款N+P沟道SOP8封装的晶体管，具有TrenchFET® Power MOSFET结构。该器件的工作电压为30V，最大漏源电流为8A，最大漏源电阻为18mΩ。该器件还具有低RDS(on)和高开关速度，非常适合高频开关电源...

评级：0 浏览量：21 收藏量：0 资源大小：638KB 上传时间：2024-01-08

AP2305AGN-VB场效应管一款P沟道SOT23封装的晶体管 AP2305AGN-VB是基于TrenchFET® Power MOSFET技术的一款P沟道MOSFET，具有低电阻和高速开关特点，适合移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关和DC/DC Converter等应用。绝对最大额定值 | 参数符号 | 限制值 | ...

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元器件应用中的Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET 宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道...

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p型GaN欧姆接触的研究进展 p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题，回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。关键词：p型；GaN；欧姆接触中图分类号： TN...

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NTGS4111PT1G-VB一种P沟道SOT23-6封装MOS管 NTGS4111PT1G-VB是一种P沟道MOSFET，封装在SOT23-6封装中。该器件具有以下特点： * 30V漏极-源极电压 * 4.85Ω最大导通电阻 * 1A最大漏极电流 * -20到20V栅极-源极电压 * 110°C/W热阻应用场景 NTGS4111PT1G-VB ...

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FDS4935A-NL-VB一种2个P沟道SOP8封装MOS管 FDS4935A-NL-VB是一种2个P沟道SOP8封装MOSFET，主要应用于Load Switches、Notebook PCs、Desktop PCs和Game Stations等领域。特性 • Halogen-free • TrenchFET Power MOSFET • 100 % UIS Tested 应用 • Load ...

评级：0 浏览量：17 收藏量：0 资源大小：414KB 上传时间：2023-12-19

XP162A12A6PR-VB一种P沟道SOT89-3封装MOS管 XP162A12A6PR-VB 是一种 P沟道 SOT89-3 封装 MOSFET，具有 trenchFET 电源 MOSFET 结构。该器件具有低 RDS(on) 和高输入阻抗，适合各种电源应用。特性 * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * ...

评级：0 浏览量：13 收藏量：0 资源大小：236KB 上传时间：2024-01-04

AO6801A-VB一种2个P沟道SOT23-6封装MOS管 AO6801A-VB 2个P沟道SOT23-6封装MOS管 AO6801A-VB是一种双P沟道MOS管，封装在SOT23-6封装中。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合在便携式应用和计算机系统中使用。特点： * 双P沟道MOS管 * SOT23-6封装 * ...

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FDC6321C-VB场效应管一款2个N+P沟道SOT23-6封装的晶体管本器件是一款2个N+P沟道SOT23-6封装的晶体管，具有TrenchFET ® Power MOSFET的特点。绝对最大额定值 FDC6321C-VB场效应管的绝对最大额定值包括： * 漂移源电压（VDS）：20V * 门源电压（VGS）：±20V * 连续漏...

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10步法则教你MOSFET选型俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分...　功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOS

评级：0 浏览量：451 收藏量：0 资源大小：112KB 上传时间：2021-01-20

SI2333DDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管 SI2333DDS-T1-GE3-VB P沟道MOSFET SI2333DDS-T1-GE3-VB是一种P沟道MOSFET，封装在SOT23封装中。它具有低的RDS(on)和高的输入阻抗，可以在各种应用中提供高效的开关性能。特点： * Halogen-free According to IEC...

评级：0 浏览量：12 收藏量：0 资源大小：424KB 上传时间：2023-12-25