潘群峰，刘宝林（厦门大学物理系，福建 厦门 361005）摘要：宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一，近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几 个问题，回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 关键词：p型；GaN；欧姆接触 中图分类号： TN304.2+3 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)08-0015-041 引言 以GaN为代表的III族氮化物因具有一系列优越的性质，而成为近年来化合物半导体研究的热点之一。利用其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、导热性能良好等特点适
