半导体，辐照

本专辑为您列举一些半导体，辐照方面的下载的内容,半导体，辐照等资源。把最新最全的半导体，辐照推荐给您,让您轻松找到相关应用信息,并提供半导体，辐照下载等功能。本站致力于为用户提供更好的下载体验，如未能找到半导体，辐照相关内容，可进行网站注册，如有最新半导体，辐照相关资源信息会推送给您。

阅读全文

半导体，辐照

: 高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究.pdf 高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究.pdf
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：925KB 上传时间：2021-08-29

: GB∕T 4937.17-2018 半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照.pdf GB∕T 4937.17-2018 半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照.pdf
评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：1.75MB 上传时间：2020-07-09

: 连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏采用数值方法，研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值，讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系，同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响，给出了材料内温度...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：960KB 上传时间：2021-02-11

: QJ 10004-2008 半导体器件总剂量辐照试验方法 QJ 10004-2008 半导体器件总剂量辐照试验方法
评级：5 浏览量：359 收藏量：0 资源大小：4.78MB 上传时间：2022-04-22

: 半导体器件辐射效应及抗辐射加固 半导体辐照效应入门，科普知识
评级：0 浏览量：422 收藏量：0 资源大小：201KB 上传时间：2017-07-19

: GB∕T 4937.18-2018 半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐照(总剂量).pdf GB∕T 4937.18-2018 半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐照(总剂量).pdf
评级：0 浏览量：187 收藏量：0 资源大小：4.56MB 上传时间：2020-07-09

: 连续激光辐照半导体材料的温度场.pdf 标题和描述中提到的是关于“连续激光辐照半导体材料的温度场”的研究，这是一个涉及半导体物理学、热传导和光学的领域。在这个过程中，激光作为能量输入源，照射在半导体材料上，导致材料温度升高，形成非均匀的温度...
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：203KB 上传时间：2021-08-29

: 连续激光辐照半导体材料的热效应分析.pdf 本文主要探讨了连续激光辐照半导体材料时产生的热效应，这是一种在半导体加工和处理中的重要物理过程。文章建立了一个二维物理模型，利用P-R交替隐格式有限差分法，通过Matlab软件进行数值模拟，分析了激光参数...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：474KB 上传时间：2021-08-29

: 大功率近红外半导体激光辐照蝗蝻致死作用研究.pdf 大功率近红外半导体激光辐照蝗蝻致死作用研究.pdf
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：99KB 上传时间：2021-08-29

: 激光辐照半导体硅的掺杂研究描述一个有机胶体掺杂剂的半导体硅的激光辐照掺杂方法;P型和N型两种硅单晶进行了砷、磷和硼的掺杂,并研究了掺杂区的电和光电特性。
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：1.6MB 上传时间：2021-02-06

: 氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能.pdf 《氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能》这篇论文主要探讨了利用氚钛片对硅基半导体器件进行辐照后，其电学输出性能的变化及其影响因素。文章的研究对象是氚钛片，这是一种含有放射性氚的金属钛薄膜，可用于放射性...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：171KB 上传时间：2021-08-29

: 比较几种辐照对半导体器件性能的影响.pdf 《比较几种辐照对半导体器件性能的影响》这篇文章深入探讨了不同类型的辐射对半导体器件，特别是光电二极管性能产生的影响。作者张建新和刘俊星来自嘉兴学院机电工程学院，他们关注的是如何提高半导体器件在高辐射...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：338KB 上传时间：2021-08-29

: 1.3 μm InGaAsP半导体激光器的电子辐照效应为了扩大其应用至核环境和外层空间,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究.在电子能量为0.4～1.80MeV范围内,注量为1×1012～2×1016cm-2条件下进行辐照.在注量小于1×1015cm-2时对InGaAsP半导体激光器的输出...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：119KB 上传时间：2021-02-11

: 半导体材料的激光辐照效应计算和损伤阈值分析在激光对抗中,探测器容易受到激光损伤,为此研究了连续强激光对半导体材料的损伤机理,建立了氧碘化学激光器辐照InSb圆板型靶材的二维物理模型。在圆柱坐标系中利用积分变换法,求解热传导和热弹性力学方程组,得到由...
评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：673KB 上传时间：2021-03-05

: 脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究.pdf 脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究.pdf
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：174KB 上传时间：2021-08-29

: 准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究.pdf 准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究.pdf
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：496KB 上传时间：2021-08-29

: X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟.pdf X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟.pdf
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：218KB 上传时间：2021-08-29

: 脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合KrF准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的a-SiH薄膜以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料的热退火处理,分析了膜厚、激光能量密度以及a-Si:H/a-...
评级：0 浏览量：128 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-02-11

: 有机胶体掺杂剂的激光辐照半导体掺杂收稿日期：--
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：374KB 上传时间：2021-02-06

: 自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红...
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：777KB 上传时间：2021-02-11

: 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应.pdf 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应.pdf
评级：0 浏览量：67 收藏量：1 资源大小：230KB 上传时间：2021-08-29

: 质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响.pdf 质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响.pdf
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：930KB 上传时间：2021-08-29

: 可看-重点-激光辐照Switch of High-Power.pdf 激光辐照在半导体上，会产生大量的电子和空穴等离子体，会阻塞电磁波信号的传输，形成开关特性，这在电子通信行业可广泛实行。
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：363KB 上传时间：2020-06-25

: γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响.pdf "γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响" 该论文研究了γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响。研究基于量子机制，建立了...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：1.55MB 上传时间：2021-08-29

: 质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性摘要：采用3.7MeV～5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部...目前，5～12MeV的电子辐照技术已经广泛的应用到大功率快速二极管、晶闸管、MOSFET、SIT、GTO和IGBT等电力半导体器件的少子寿命的控制中。然而，
评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2021-02-03

: IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar 半导体器件机械和气候试验方法（英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验
评级：0 浏览量：23 收藏量：0 资源大小：3.47MB 上传时间：2023-10-12

: IEC 60749-1~44 半导体器件 - 机械和气候测试方法系列 - 包含全部45份最新英文版标准文件.rar - IEC 60749-44：2016 半导体器件 – 机械和气候测试方法：半导体器件的中子束辐照单事件效应 (SEE) 测试方法 - 完整英文电子版（42页）。这45份文件也全部上传，有需要可以单独查看及下载，谢谢！
评级：5 浏览量：498 收藏量：6 资源大小：48.17MB 上传时间：2021-07-24

: 半导体技术 (3).pdf 其次，光电探测器在激光辐照下的温升计算是保证设备稳定性和寿命的关键。文章介绍了对PC型HgCdTe光电探测器的研究，该探测器在双波段组合激光照射下，考虑了波段内和波段外激光的吸收机制以及材料参数如载流子寿命、...
评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：589KB 上传时间：2021-08-29

: 半导体技术 (15).pdf 通过利用Light Tools光学仿真软件进行模拟，设计出的系统可以达到200 mW/cm²的紫外辐照度，且光强分布均匀稳定。这种设计方法对于提高紫外固化工艺的效率和质量有着显著作用，同时也满足了光源指标的要求。其次，...
评级：0 浏览量：17 收藏量：0 资源大小：180KB 上传时间：2021-08-29

: 应用于半导体工业的硅外延炉发展历程.pdf 本文主要探讨了硅外延炉在半导体工业中的发展历程，这一过程与半导体器件的技术进步紧密相连。硅外延炉是用于制造高质量硅外延片的关键设备，对于提升半导体器件性能至关重要。首先，文章提到了随着半导体行业的...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：484KB 上传时间：2021-08-29

: 【中文英文对照】 IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar 【中文英文对照】 IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar
评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：4.22MB 上传时间：2023-10-12

: 半导体脉冲激光光斑整形方法研究.pdf 此外，远场光斑呈现圆形对称形状，中心辐照度增强至41.04 W/cm²，这显著提升了激光的能量密度，从而将原有系统的探测距离从8米提升到了21米。激光近炸引信的工作原理依赖于精确的激光测距，以确定目标的距离。...
评级：5 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：296KB 上传时间：2021-08-29

: 空间辐射环境对半导体激光器的影响为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应。实验结果表明, 半导体激光器的阈值电流随着辐照剂量的加大而增加, 斜率效率在106 ...
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：885KB 上传时间：2021-02-10

: 第三代半导体GaN材料特性对比.pdf 随着对大功率、散热、抗干扰器件的要求越来越高，以 GaN 为代表的第三代半导体材料登上了舞台，它们共同的特点即是禁带宽度大，抗辐照能力强，热稳定性好、化学稳定性好，加上良好的散热性，使得第三代半导体在大...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：1.22MB 上传时间：2021-08-29

: 纳秒激光辐照对硫离子注入硅表面形貌及光电性能的影响【纳秒激光辐照对硫离子注入硅表面形貌及光电性能的影响】本文主要探讨了纳秒激光辐照对硫离子注入硅表面形态以及光电性能的改变，这在微电子和光电子技术领域具有重要的研究价值。随着半导体技术的不断发展，硅...
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：1.32MB 上传时间：2019-01-21

: 宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望.pdf "宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望" 宽禁带半导体SiC功率器件是当前半导体材料领域的研究热点之一。SiC材料具有宽禁带隙、高饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，特别适合制作大功率、高温、...
评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：648KB 上传时间：2021-08-29

: 半导体器件探测器计算流体力学的数值方法和分析.pdf 然而，对于现代强激光辐照下的半导体探测器，不仅有光电效应，还有热效应，因此需要建立漂移-扩散模型，考虑更复杂的物理过程。论文以HgCdTe红外探测器为例，通过数值求解方程，研究了不同激光辐射功率密度下探测...
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：443KB 上传时间：2021-08-29

: 射线总剂量辐照对单轴应变Si 纳米n 型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响射线总剂量辐照对单轴应变Si 纳米n 型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：582KB 上传时间：2021-03-14

: 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应.pdf 本文主要关注的是0.18微米CMOS工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）和静态随机存取存储器（SRAM）在不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究。研究发现，SRAM在低剂量率下的辐射损伤比高剂量率下的更严重...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：688KB 上传时间：2021-08-29

: 高温高压硼掺杂金刚石辐照缺陷的生长晶面依赖性研究硼是金刚石中最常见的受主元素之一, 其在价带之上0.37 eV处形成了浅能级, 因此硼掺杂金刚石被认为是一种理想的p型半导体材料。在化学气相沉积法制备的硼掺杂金刚石中, 硼杂质在晶体中的分布非常不均匀, 其拉曼信号...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：4.06MB 上传时间：2021-01-26

: 质子辐照下高效太阳电池输出特性及结构的优化研究利用TCAD半导体器件仿真软件，详细分析了低能(1.8 keV)质子辐照剂量对低轨道卫星用高效插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池转换效率的影响。通过转换效率及其退化特点的对比，得到质子辐照剂量与复合中心密度、陷阱...
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：4.12MB 上传时间：2021-02-03

: 半导体激光复合溶胶-凝胶工艺对原位合成TiC强化涂层组织形态的影响采用溶胶凝胶的方法制备TiO2-石墨（C）均匀混合的粉末，通过半导体激光辐照45#钢基体原位反应制备TiC强化涂层。分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度仪表征涂层的表面物相、显微结构、显微硬度，研究了...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：7.44MB 上传时间：2021-02-11

: 半导体工业用石英玻璃和6H碳化硅微粉的技术创新与质量水平评价.pdf - **耐辐照石英玻璃**：能承受高剂量的宇宙射线和电子辐射，适用于制造耐辐射器件。 - **激光用石英玻璃**：掺杂特定元素（如铈）以提高特定光谱区域的透光率，用于制造激光器玻璃管。 - **高硼硅玻璃管**：具有...
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：198KB 上传时间：2021-08-29

: 非晶硅银薄膜的飞秒激光辐照研究采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、积分球、半导体性能测试仪等,对辐照前后薄膜的表面形貌、微观结构以及光电性能等进行表征。结果表明:当辐照能量为300 mJ/cm 2时,a-Si∶Ag薄膜表面无明显的刻蚀痕迹,薄膜中有纳米晶...
评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：5.23MB 上传时间：2021-01-26

: IEC 60749-17-2003第 17 部分：中子辐照.rar 半导体器件机械和气候试验方法（英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验
评级：0 浏览量：17 收藏量：0 资源大小：1.31MB 上传时间：2023-10-12

: 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应.pdf 这篇论文主要探讨的是0.13微米部分耗尽绝缘体上硅（SOI）N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）在受到总剂量辐射效应后的热载流子增强现象。在现代航天技术中，电子器件需要在极端的太空环境中保持高度的稳定...
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2021-08-29

: 半导体物理知识点及重点习题总结.doc 半导体物理知识点及重点习题总结 ...当用电磁波辐照该半导体时，如假设频率与电子的盘旋运动频率相等，那么半导体对电磁波的吸收非常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。这就是盘旋共振的机理。
评级：0 浏览量：101 收藏量：1 资源大小：2.84MB 上传时间：2021-10-10

: 质子辐照CCD诱发暗信号增大 (2010年) 建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模拟计算,得出了质子辐照电离损伤诱发CCD表面暗信号随辐照注量增大的变化规律；建立了质子辐照位移损伤的辐射效应模型,数值模拟计算...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：371KB 上传时间：2021-05-30

: 激光辐照引起的材料温度场和热应力场的瞬态分布 (2011年) 利用热弹性理论对CO2激光器辐照K9玻璃材料进行研究,建立激光辐照材料温升及热应力分布二维平面模型,通过解析计算得到由激光辐照半导体材料引起的温度场和应力场的瞬态分布。研究表明,K9玻璃材料的激光辐照损伤阀值与...
评级：0 浏览量：121 收藏量：0 资源大小：808KB 上传时间：2021-06-11

: 电源技术中的安森美半导体NCP1294太阳能充电控制器及其设计要点众所周知，太阳能电池板有一个IV曲线，它表示该...为此，安森美半导体开发了一款太阳能电池控制器NCP1294，用来实现太阳能电池板的最大峰值功率点跟踪（MPPT），以最高能效为蓄电池充电。本文将介绍该器件的一些主要
评级：0 浏览量：259 收藏量：0 资源大小：269KB 上传时间：2020-10-21

资源推荐

相关资源标签

半导体，辐照激光，辐照电源技术光致发光 diamond boron 飞秒激光光电性能 thin film microstru femtoseco photoelec 太阳电池转换效率 solar proton conversio front floating optimizat 电子辐照半导体激 lasers total electron threshold semicondu laser crystall multi melt thre carrier 激光技术自由电子 quantum free shif 溶胶凝胶原位反应 sol-gel in-situ diode enhanced 激光物理非线性效 thermal damage 研究论文自然科学论文工程技术 60749 导体技术导体研究参考文献专业指导