这篇论文主要探讨的是0.13微米部分耗尽绝缘体上硅（SOI）N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）在受到总剂量辐射效应后的热载流子增强现象。在现代航天技术中，电子器件需要在极端的太空环境中保持高度的稳定性和可靠性。随着半导体技术的发展，SOI技术因其独特的优点，如低功耗、高频率性能和良好的辐射抗性，被广泛应用于航天领域。然而，微小的尺寸和复杂的结构也使这些器件对辐射环境更加敏感。
总剂量效应是电子器件在辐射环境中常见的失效模式，它会导致器件性能的退化。在0.13微米的NMOSFET中，热载流子效应是一个关键的可靠性问题，特别是在高电场条件下，热载流子的产生可以导致器件参数如跨导（g_m）、漏源饱和电流（I_DsAT）的退化，影响器件的寿命。
论文指出，经过预辐照处理的器件在热载流子试验中表现出更强的损伤效应，这主要是由于STI（浅沟槽隔离）辐射感应产生的电场增强了沟道中的电子-空穴碰撞电离率。这种增强的热载流子效应表现为预辐照器件在试验中的衬底电流显著增加，转移特性和输出特性曲线发生变化，器件性能下降。
此外，论文还讨论了宽沟道器件在热载流子测试中出现的衬底电流减小和不连续的现象，这是一个特殊的观察结果，可能与沟道宽度、辐射剂量以及材料特性等因素有关。
作者通过对比预辐照和未辐照的器件在热载流子试验中的表现，深入分析了总剂量辐射对器件热载流子可靠性的影响，为评估SOI器件在空间环境中的综合可靠性提供了理论依据。这些研究对于改进和优化微纳器件的设计，提高其在太空环境中的抗辐射能力具有重要意义，同时也有助于确保航天器的长期稳定运行和任务成功。
