电子辐照

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电子辐照

: 1.3 μm InGaAsP半导体激光器的电子辐照效应为了扩大其应用至核环境和外层空间,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究.在电子能量为0.4～1.80MeV范围内,注量为1×1012～2×1016cm-2条件下进行辐照.在注量小于1×1015cm-2时对InGaAsP半导体激光器的输出...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：119KB 上传时间：2021-02-11

: 电源技术中的电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响摘要：功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一，采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时，以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流输入电压...
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：414KB 上传时间：2020-10-21

: 研究论文-电子辐照交联乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物的研究.pdf 为了研制含有乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物（EMMA）和硅橡胶共混物的热收缩套管，研究了电子辐照对EMMA的辐射交联作用.将MMA含量18%的EMMA制成厚度1.0 mm的薄片和0.25 mm厚的薄膜，用DD1.2型高频高压电子加速器扫描电子...
评级：0 浏览量：197 收藏量：0 资源大小：254KB 上传时间：2019-08-07

: 电子辐照导致细胞失活在医疗废水净化中的技术研究.pdf 电子辐照导致细胞失活在医疗废水净化中的技术研究.pdf
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：1.15MB 上传时间：2021-09-09

: 基于软开关的电子辐照高压电源设计在食品加工过程中采用电子辐照技术，可以改善食品的品质，提高食品的安全性。加速管作为离子束加速器件，在电子辐照工程装置中是关键设备。为了满足不同辐照物体的辐照计量要求，需要电子枪高压电源可以连续可调。...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：375KB 上传时间：2020-10-21

: 质子辐照与电子辐照对空间GaAs/ Ge 太阳电池性能影响比较 (2006年) 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：207KB 上传时间：2021-05-31

: 孔雀绿对电子辐照响应研究 (2011年) 经电子辐照后其颜色由无色透明变为绿色．辐照后吸收光谱显示其最强吸收峰出现在629 nm附近．研究表明：吸光度响应与电子注量成线性关系,电子能量和分次辐照对其有明显影响,在某注量率范围内吸光度存在辐照后效应,24 ...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：262KB 上传时间：2021-05-16

: 电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一，采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时，以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流输入电压下， ...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：487KB 上传时间：2020-08-12

: 电子政务-双面胶片电子辐照装置及其辐照方法.zip 电子政务-双面胶片电子辐照装置及其辐照方法.zip
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：274KB 上传时间：2021-09-15

: 电子政务-双面胶片电子辐照装置.zip 电子政务-双面胶片电子辐照装置.zip
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：219KB 上传时间：2021-09-15

: 电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究 (2009年) 利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究，同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响．实验结果表明，电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加，低温退火即可...
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：267KB 上传时间：2021-05-17

: 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 (2010年) 本文针对磷化铁(FePa)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况．研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：223KB 上传时间：2021-05-15

: GaInP_GaAs_Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应_胡建民.caj 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为...
评级：0 浏览量：146 收藏量：0 资源大小：71KB 上传时间：2019-08-22

: 电子辐照加速器技术工程中心组织结构.pdf 电子辐照加速器技术工程中心组织结构.pdf
评级：5 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2021-12-19

: 电子辐照对纳米Gd2Zr2O7晶粒尺寸和结晶度的影响 (2014年) 利用能量为1．7Mev、注量在105～2×1016／cm2的电子辐照非晶Gd2Zr2O7粉体、晶态 Gd2Zr2O7纳米粉体和晶态Gd2Zr2O7纳米陶瓷，采用XRD测试手段对电子辐照前后的样品进行分析．结果表明，在此电子能量下，非晶Gd2Zr2O7...
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：194KB 上传时间：2021-05-10

: 行业-电子政务-用电子辐照改质燃料的方法.zip 行业-电子政务-用电子辐照改质燃料的方法.zip
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：1023KB 上传时间：2021-11-23

: n型LPE Ga1_xAlxAs层中电子辐照缺陷的研究 (1988年) 运用深能级瞬态谱(DLTS)技术，结合等时退火，研究了1.8MeV电子辐照在n型LPE Ga1-xAlxAs (0≤x≤0.28)层中产生的电子陷阱。结果表明，这些电子陷阱可按退火温度分为两类：一类退火温度在480~510K之间，包括E1、 E2和...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：333KB 上传时间：2021-05-21

: 热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响 (1994年) 利用深能级瞬态谱(DLTS)对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经2h 1000℃温度退火后，观测到在Ec-0.44eV能级中的多稳组态由40％减少到10％左右。这一实验结果为多稳态缺陷不是Ps-Ci结构．而是E中心自身...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2021-05-16

: 电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响 (2011年) 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一，采用10 MeV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时，以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中，85 V交流输入电压下，功率双极...
评级：0 浏览量：29 收藏量：0 资源大小：333KB 上传时间：2021-05-10

: 开发技术-硬件-晶体硅太阳电池及其电子辐照研究.zip 开发技术-硬件
评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：7.44MB 上传时间：2022-04-10

: 掺Te的GaSb的电子辐照引起的缺陷和光电性能掺Te的GaSb的电子辐照引起的缺陷和光电性能
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：1.49MB 上传时间：2021-04-13

: 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应.pdf 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应.pdf
评级：0 浏览量：64 收藏量：1 资源大小：230KB 上传时间：2021-08-29

: In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究对未掺杂的In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016 /cm2的电子束辐照实验。实验结果显示，电子束轰击量子阱材料，通过能量传递在材料中引入缺陷，导致光致发光减弱；电子束辐照后的量子...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：4.49MB 上传时间：2021-02-07

: 高能电子辐照绝缘厚样品的表面电位动态特性? (2015年) 采用数值计算和实验测量相结合的方法,阐明了高能电子束照射下绝缘厚样品的表面电位和电子产额动态特性. 结果表明: 由于电子在样品内部的散射和输运, 沿着深度方向, 空间电位先缓慢下降到最小值, 然后逐渐升高并趋近...
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：325KB 上传时间：2021-05-22

: 利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究 (1996年) 利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究 (1996年)
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：201KB 上传时间：2021-05-23

: 电子辐照的n + -Si作为有机发光二极管的空穴注入可调阳极 电子辐照的n + -Si作为有机发光二极管的空穴注入可调阳极
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：463KB 上传时间：2021-03-18

: 网络技术-网络基础-用电子辐照光纤改性方法制备长周期光纤光栅的理论研究.pdf 网络技术-网络基础
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: 网络技术-网络基础-TDPA改性BaTiO3PV复合材料的储能及电子辐照损伤行为.pdf 网络技术-网络基础
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: 网络技术-网络基础-碳纤维增强石墨烯TiO2氰酸酯复合材料及抗电子辐照研究.pdf 网络技术-网络基础
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：2.93MB 上传时间：2022-04-19

: 质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性关键词：晶闸管少子寿命质子辐照1引言众所周知，高能电子辐照能在硅的禁带引入缺陷能级从而使硅中的少子寿命下降。目前，5～12MeV的电子辐照技术已经广泛的应用到大功率快速二极管、晶闸管、MOSFET、SIT、GTO和...
评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2021-02-03

: 电子束辐照技术在环境保护中的应用电子束辐照降解技术作为辐照技术的一个分支,近年来获得了快速发展,在环境保护中的应用日益广泛。概述了电子束辐照降解技术在处理废气、废水以及固体废弃物等方面的研究应用,指出了环境保护中电子束辐照技术所存在的...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：131KB 上传时间：2020-05-27

: 电子束辐照降解玉米中玉米赤霉烯酮和呕吐毒素效果研究电子束辐照降解玉米中玉米赤霉烯酮和呕吐毒素效果研究，李克，潘丽红，玉米中玉米赤霉烯酮（Zearalenone，ZEN）和呕吐毒素（Deoxynivalenol，DON）等真菌毒素较为常见，对人畜健康危害较大，且普遍呈多毒素共存�
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：525KB 上传时间：2020-02-28

: 电子束辐照对GaN基蓝光LED性能的影响研究了低能电子束辐照（LEEBI）对大功率GaN基蓝光LED性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光LED进行LEEBI，并对比未辐照的LED，研究其电学性质和光学性质的变化。结果表明，在电子束辐照下，...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：702KB 上传时间：2021-02-12

: 2021年中国电子加速器在辐照加工领域的应用.pdf 2021年中国电子加速器在辐照加工领域的应用.pdf 2021年中国电子加速器在辐照加工领域的应用.pdf 2021年中国电子加速器在辐照加工领域的应用.pdf 2021年中国电子加速器在辐照加工领域的应用.pdf 2021年中国电子加速器...
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: 信息化-电子商务-电子束辐照技术处理烟叶的实验研究.pdf 信息化-电子商务-电子束辐照技术处理烟叶的实验研究.pdf
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2022-07-14

: 自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 ...对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：777KB 上传时间：2021-02-11

: 电子束对纳米材料辐照损伤的电镜研究 (2004年) 文中探讨了用透射电子显微镜观察纳米材料时，在不同的放大倍数下，电子束的辐照损伤对纳米材料在电镜观察时的影响。文中以纳米碳酸钙的电镜照片和电子衍射花样为例说明了电子束的辐照损伤对纳米材料在形貌和结构上...
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: 光辐照对MgB2超导体电子结构的影响本文对MgB2超导体进行不同时间的激光照射，并利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究，根据正电子寿命谱参数的变化情况，利用光致电荷转移模型对光辐照后的MgB2超导体样品的电子结构及超导电性进行了研究讨论。...
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