n型LPE Ga1_xAlxAs层中电子辐照缺陷的研究 (1988年)

运用深能级瞬态谱(DLTS)技术，结合等时退火，研究了1.8MeV电子辐照在n型LPE Ga1-xAlxAs (0≤x≤0.28)层中产生的电子陷阱。结果表明，这些电子陷阱可按退火温度分为两类：一类退火温度在480~510K之间，包括E1、 E2和E3;另一类包括未见报道过的Q1、Q2、Q3和Q4，其退火温度高于600K。 Q2的出现与A1原子存在有关，是n型LPE Ga1-xAlxAs(x>0)中特有的缺陷。