SiC半导体技术

sic半导体技术 ——即将腾飞的新一代半导体技术 Silicon Carbide Semicondutor Technology: ——A new generation of semiconductors is about to take off 电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代...

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4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf

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SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展.pdf SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展.pdf

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SiC功率器件的封装技术 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的工作温度局限在175℃...

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SiC半导体探测器性能测量研究.pdf SiC半导体探测器性能测量研究.pdf

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第三代半导体SiC技术的崛起.pdf 第三代半导体SiC技术的崛起.pdf

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SiC半导体材料和工艺的发展状况.pdf SiC半导体材料和工艺的发展状况.pdf

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SiC半导体在薄膜物理制备中的研究.pdf SiC半导体在薄膜物理制备中的研究.pdf

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SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应.pdf SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应.pdf

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SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用.pdf SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用.pdf

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全SIC模块技术的应用 sic器件半导体具有耐高压耐低温的独特优越性，为了最大限度的发挥这些优势，对新结构进行了发挥，创造了sic模块，用于各种电力电子器件。

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SiC稀磁半导体材料研究进展.pdf SiC稀磁半导体材料研究进展.pdf

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SiC：为何被称为是新一代功率半导体.pdf SiC：为何被称为是新一代功率半导体.pdf

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第三代半导体材料SiC平坦化技术的研究现状.pdf 第三代半导体材料SiC平坦化技术的研究现状.pdf

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第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展.pdf 第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展.pdf

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高效SiC技术的介绍和分析 随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。本文主要介绍SiC技术优点、缺点及...

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SiC功率半导体器件的优势及发展前景.pdf SiC功率半导体器件的优势及发展前景.pdf

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SiC功率半导体将在2016年形成市场.pdf SiC功率半导体将在2016年形成市场.pdf

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半导体SiC材料研究进展及其应用.pdf 半导体SiC材料研究进展及其应用.pdf

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三菱电机提供“SiC功率半导体模块”样品.pdf 三菱电机提供“SiC功率半导体模块”样品.pdf

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三菱电机“SiC功率半导体模块”开始发售.pdf 三菱电机“SiC功率半导体模块”开始发售.pdf

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高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战.pdf 高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战.pdf

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4H-SiC基稀磁半导体的电子结构.pdf 4H-SiC基稀磁半导体的电子结构.pdf

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高压SiC功率半导体器件的发展现状与解决措施.pdf 高压SiC功率半导体器件的发展现状与解决措施.pdf

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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展.pdf 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展.pdf

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宇通客车与斯达半导体合作开发基于SiC技术的商用车电机控制器系统解决方案.pdf 宇通客车与斯达半导体合作开发基于SiC技术的商用车电机控制器系统解决方案.pdf

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SiC微波半导体在T_R组件中的应用前景.pdf SiC微波半导体在T_R组件中的应用前景.pdf

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电源技术中的开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件 　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC...

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碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用.pdf 碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用.pdf

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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望.pdf 宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望.pdf

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宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf 宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf

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碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用分析.pdf 碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用分析.pdf

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基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究.pdf 基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究.pdf

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宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状.pdf 宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状.pdf

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第三代半导体SIC碳化硅行业报告 SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证：根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚 开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如...

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半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性.pdf 半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性.pdf

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Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究.pdf Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究.pdf

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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破.pdf 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破.pdf

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表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆.pdf 表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆.pdf

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第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展.pdf 第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展.pdf

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SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在...

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N01组宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf N01组宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf

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基本半导体：将SiC功率器件提携至高光之下.pdf 基本半导体：将SiC功率器件提携至高光之下.pdf

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电源技术中的开关电源功率半导体器件 在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制...

评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：76KB 上传时间：2020-11-16

安森美半导体推出碳化硅(SiC)MOSFET,完善生态系统.pdf 安森美半导体推出碳化硅(SiC)MOSFET,完善生态系统.pdf

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安森美半导体发布新的650 V碳化硅(SiC)MOSFET.pdf 安森美半导体发布新的650 V碳化硅(SiC)MOSFET.pdf

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第3代半导体SiC功率模块研发及产业化项目开工.pdf 第3代半导体SiC功率模块研发及产业化项目开工.pdf

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宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来.pdf 宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来.pdf

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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破 (1).pdf 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破 (1).pdf

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上海硅酸盐所联合半导体所在SiC-LED方面取得重要研究进展.pdf 上海硅酸盐所联合半导体所在SiC-LED方面取得重要研究进展.pdf

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