钝化共掺杂

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钝化共掺杂

: 共掺杂TiO2-B作为可充电锂离子电池负极材料的DFT+U分析采用多元胞组合法构建出钝化共掺杂TiO2-B模型,并引入共掺杂原子N+V和C+Cr,对其进行第一性原理的密度泛函理论（density functional theory,DFT）分析。通过对Li+嵌入位点和迁移活化能的计算,确定了Li+低浓度下共掺杂...
评级：0 浏览量：233 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2020-06-15

: 氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质影响的研究氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质影响的研究，容天宇，房丹，锑化镓（GaSb）是实现高性能中红外波段激光器的重要材料。然而GaSb材料表面的化学性质活泼，具有较高的表面态密度，导致费米能级钉�
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：892KB 上传时间：2019-12-26

: MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究 MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究，贾慧民，王彪，采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀，晶体质量较好，掺杂浓度
评级：0 浏览量：97 收藏量：1 资源大小：682KB 上传时间：2019-12-26

: 使用等离子体增强化学气相沉积技术制备的原位掺杂磷的多晶硅钝化接触剂有效吸杂使用等离子体增强化学气相沉积技术制备的原位掺杂磷的多晶硅钝化接触剂有效吸杂
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：1.35MB 上传时间：2021-03-02

: 基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx∶H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化，并对其钝化机理进行了分析。研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感。随着掺杂浓度分布进入硅基体的“穿透...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：2.37MB 上传时间：2021-02-21

: p型ZnO纳米线及其表面H钝化的理论分析采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况进行了理论计算，并系统地分析了其结构参数、掺杂形成能及电子结构。研究结果表明...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：2.15MB 上传时间：2021-02-25

: 磁控溅射制备氢掺杂氧化锌薄膜的掺杂性能研究* (2013年) 主要研究了氢掺杂氧化锌(ZnO：H)薄膜的性能，发现随着H2流量比的变化，其主要表现为浅施主掺杂、钝化空位缺陷以及刻蚀等作用。当H2流量比较小时(R≤0．02)，样品沿(002)择优向生长，这时H原子主要作为浅施主掺杂，...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：372KB 上传时间：2021-05-18

: 表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究能带结构分析表明,B/N掺杂的H钝化的SiNWs表现出正常的p/n特性,而表面悬挂键(dangling binding,DB)的存在会导致P型(B原子)或者n型(N原子)掺杂失效;其失效的原因主要是因为表面悬挂键所引入的缺陷能级俘获了n型杂质(p...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：445KB 上传时间：2021-05-07

: δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：356KB 上传时间：2021-03-19

: 空位对硅纳米线掺杂的影响：第一性原理研究探索了直径为2.3 nm的H钝化硅纳米线中空位和空位硼（空位-磷）配合物的原子结构和电子性质。几何优化的结果表明，中心空位可以稳定存在，而纳米线边缘的空位经过局部表面重建，这导致空位被引出纳米线。总能量...
评级：0 浏览量：165 收藏量：0 资源大小：1.87MB 上传时间：2021-03-17

: Mn掺杂纳米晶ZnO的制备及其性质 (2011年) 采用固相热分解自组装方法制备Mn掺杂纳米晶ZnO样品,并利用X射线衍射(XRD)、能量散射光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光光谱(PL)等方法测试Mn掺杂ZnO样品的结构、形态及光学性质.结果表明:采用本文方法获得了...
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：2.38MB 上传时间：2021-05-15

: Zr掺杂对Li4 Ti5 O12电化学性能的影响 (2009年) 实验结果表明:锆的掺杂在一定程度上改善了锂钛氧化合物的电化学性能,降低了电极极化,在电极表面未形成钝化膜。其中以掺杂比为 Zr:T i =1:1 0(原子比)的材料性能最好,首次放电比容量可达到 167 .5 mAh.g-1,经过50次...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：237KB 上传时间：2021-05-27

: 优化n型接触极钝化多晶硅太阳能电池的硼扩散工艺首先，使用EDNA2进行仿真模拟以确定重掺杂区的参数，进而使用Quokka软件进行进一步模拟，从而获得光伏参数开路电压（VOC）和填充因数（FF），并确定最佳扩散温度和时间，为后续的实验节省大量时间并提供指导方案。...
评级：0 浏览量：189 收藏量：0 资源大小：1.64MB 上传时间：2020-05-04

: 交流阻抗法研究苯酚在Sb3十，Ce3＋掺杂SnO2／C／Ti系列电极上的电化学行为 (2011年) 采用溶胶一凝胶法合成Sb3＋，ce3＋掺杂SnO2胶体前驱体，分别经XC-72R碳黑吸附后制备出一系列碳载氧化物复合电催化剂．利用电化学交流阻抗法(EIS)测试Sb3＋，Ce3＋...苯酚浓度越大，钝化膜越厚，苯酚氧化的阻力越大．
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：359KB 上传时间：2021-05-10

: 表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb^3+离子荧光寿命的影响利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响。实验结果表明氮化硅中Tb3+...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：272KB 上传时间：2021-02-20

: 多晶硅绕镀层的去除工艺研究本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中，背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究，进一步解决了电池外观不良和该多晶硅...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：2.35MB 上传时间：2021-02-06

: 电源技术中的利用PECVD技术来提高晶体硅太阳能电池生产　为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。　硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0...
评级：0 浏览量：273 收藏量：0 资源大小：276KB 上传时间：2020-11-08

: 纳秒激光熔覆硅纳米薄膜的仿真分析及实验研究以重掺杂硼的纳米硅浆料为硼源, 采用纳秒激光熔覆工艺, 在钝化发射极及背接触(PERC)电池背面形成了重掺杂硼的硅熔覆层。通过建立三维瞬态温度场的有限元仿真模型, 并利用单因素仿真实验, 得到了激光工艺参数对温度场...
评级：0 浏览量：143 收藏量：0 资源大小：14.31MB 上传时间：2021-02-22

: 光伏设备行业：N型电池产业化进程加快设备行业有哪些投资机会？-38页.pdf ◆TOPCon：产业化进程领跑，背钝化层为增量环节，扩散及SE工艺值得期待。根据我们的统计，截至2022年6月15日，国内已建成的 TOPCon产能为30.55GW，在建/待建产能为178.8GW。在建产能中，预计有62.30GW产能将在年内...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：2.82MB 上传时间：2023-04-25

: 光伏降低成本要借力半导体技术.pdf 例如，太阳能光伏材料的制造中需要控制表面粗糙度、叠层的掺杂分布、钝化层中的氢含量，以及表面污染等问题。半导体技术可以提供一个解决方案，例如使用接触式清洁技术来处理表面污染。此外，半导体技术也可以应用...
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：77KB 上传时间：2021-08-29

: 微波等离子体作为非接触电极——金属氧化在电场中的应用在React性等离子体中的金属氧化（等离子体阳极氧化）的情况下，所有这些影响都会产生影响：当形成钝化氧化层时 - 由于低电子传导性而氧化速度缓慢 - 电子传导等离子体导致短路内部电子流中的电路和氧化速率增加...
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: 骨矿物质类磷酸钙作为可生物再吸收聚酯的 pH 稳定填料在React性等离子体中的金属氧化（等离子体阳极氧化）的情况下，所有这些影响都会产生影响：当形成钝化氧化层时 - 由于低电子传导性而氧化速度缓慢 - 电子传导等离子体导致短路内部电子流中的电路和氧化速率增加...
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: 二元钒合金上金属氧化物薄膜的电子特性这也意味着电子从价带到导带的跃迁的改进，即半导体性能随着钒的量而降低，而半导体的电导率和掺杂水平增加。带隙值的降低改善了电子从价带到导带的跃迁。由于电流，传质增加并且腐蚀增加。这些结果与 [1] 中的...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2021-06-29

: 电源技术中的选择性发射极晶体硅太阳电池实现方法分析所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与...
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：121KB 上传时间：2020-10-21

: 组合方法制备具有高光致发光强度的Si纳米晶体这项工作表明，通过将三种方法与不同机制结合起来，可以增强嵌入SiO2（或Si-nc：SiO2）的Si... 基于该多层样品，对CeF3掺杂和氢进行处理随后进行钝化处理，PL强度是单层的167倍对于相同量的过量Si含量，获得了一种。
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: 异质结构HgCdTe双色红外探测器短波长光响应的改进顶部中波红外平面光电二极管通过选择性B +注入进行处理，底部短波红外PN同质结光电二极管在MBE生长期间通过铟杂质掺杂原位形成。通过台面隔离，钝化和金属化制备了SWIR / MWIR HgCdTe的初步256×1线性焦平面阵列。...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：560KB 上传时间：2021-02-23

: 外延生长纤锌矿Ga1-xMnxN中Mn超高浓度的机理利用第一性原理研究了外延生长纤锌矿Ga1-xMnxN中Mn掺杂的机理。尽管在热力学平衡条件下计算得出的Mn溶解度极限低至0.032％，但由于生长表面的作用，Mn溶解度极限可以增加约两个数量级，达到几个原子百分比，并且...
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: Influence of ion- implantation on the effective Schottky barrier height of NiGe/n-Ge contacts 离子注入对NiGe/n-Ge接触肖特基势垒高度的影响研究，李成，汤梦饶，在镍锗/n锗接触中用掺杂来调制有效肖特基势垒高度的方法仍然存在争议。本文实验证明离子损伤比界面钝化在注入硒和硅的镍锗/n锗接�
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