
第 !" 卷#第 $ 期#%&!" 年 % 月
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科#学#技#术#与#工#程
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对自恰求解薛定谔方程和泊松方程的
数值迭代方法的研究
曾令艳
!
#连明磊
%
#杜#云
!
"六盘水师范学院数学系
!
$化学与化学工程系
%
$ 六盘水 **"&&$#
摘#要#比较了用在自洽求解薛定谔方程和泊松方程中改变松弛因子的一般迭代方法和 E:/8.-U3:+-3::/-U3:迭代方法" 数值
试验表明
!使用一般迭代方法求解时!收敛速度慢或迭代过程中解振荡!从而不能得到收敛的结果%而使用 E:/8.-U3:+-3::/-U3:
迭代方法时!会加快方程的收敛速度!提高数值的稳定性" 最后求解了几个常用于高电子迁移率晶体管的异质结的能带图和
电子浓度的分布!并解释其物理意义"
关键词#自洽求解##泊松和薛定谔方程##E:/8.-U3:+-3::/-U3:迭代方法##G4Z7=hZ7=高电子迁移率晶体管
中图法分类号#D$(%<$#D%$!%####文献标志码#G
%&!% 年 F 月 !) 日收到 六盘水市科技计划项目
"*%&%&+%&!!+&*#资助
第一作者简介'曾令艳"!F)!!# $女$四川广安人$讲师$硕士( 研究
方向' 优化$数值模拟( 9+R7.4'27VV6^2/0^/05i!%'<-3R(
##薛定谔方程作为描述微观物理世界的基本方
程
$
是一个二阶的偏微分方程
(
在半导体物理领域
对它的实际应用主要是求解不含时的静态薛定谔
方程
$
得到系统的本征态和相应的本征能量
(
由高
斯定理得出的静电方程描述了空间自由电荷分布
和电场以及电势之间的关系
%但是当此静电方程用
于半导体领域时$由于空间电荷$即电子浓度和空
穴浓度的分布是电势的函数$因而它是一个非线性
的泊松方程
)!*
( 对稳态的半导体器件$如果只需考
虑其电学特性$则求解载流子$即电子和空穴的分
布就已足够
(
对于是微米级以上的半导体器件处
于稳态时$只需要一个物理场" 电场或者电势# 来描
述它$即只需要求解非线性的泊松方程( 当器件的
尺寸减少到亚微米或者纳米量级时$载流子的物理
行为不再遵从经典理论$其量子效应会变得非常显
著%这时需要求解耦合的薛定谔方程和泊松方程才
能完全的描述器件的稳态行为(
现在
$
随着对纳米
科学和纳米技术的深入研究
$
纳米器件将取代微米
器件成为一种公认的趋势( 对纳米器件" 例如'量
子点
&量子阱&量子线&自旋电子器件等# 的模拟就
集中在数值求解薛定谔方程和泊松方程( 但是由
于这组方程的特殊性$不能采用完全耦合的方式来
求解
$
而只能采用自洽的方式求解
(
单独求解薛定
谔方程和泊松方程在数值上都没有太大的问题
$一
般都能得到收敛的解
(
但是当自洽求解这两个方
程时
$由于载流子浓度和电势之间的强烈耦合$在
外部迭代时容易使解产生振荡的现象而得不到收
敛的解( 可利用 E:/8.-U3:+-3::/-U3:迭代方法
)%*
求解
了在高电子迁移率晶体管中常用到的几种重要异
质结结构的能带和电子分布$
并分析其物理意义
(
!"基本理论和方法
对于尺寸处于纳米级的量子器件$使用有效质
量近似时的定态薛定谔方程为
2
)
%
%
8
8E
!
$
!
8
%
5
"E#
8
[ ]
E
3)F"E# 2G
5
*
%
5
"E# +&
"!#
式"!# 中 $
!
是电子的有效质量$F" E# 是电子的势
能$ G
5
是电子的第 5个子带的本征能量(F"E# 由式
"!#的非线性泊松方程所确定
"
)
&&
H
"
F"E# * +2C"D2# 3"
3
?
2"
2
=
# "%#
式"%# 中
&
是相对介电常数$
&
H
是真空介电常数$C
是基本电荷单位$ # 和 D分别是电子浓度和空穴浓