SH367309_16S_同口_采集模式_V1.2.pdf

本文档是一份关于SH367309锂电池保护芯片的详细技术资料。该芯片由中颖官方提供，用于保护锂电池的安全使用，避免过充、过放、短路等问题造成的损坏。文档中不仅提供了芯片的参数列表和功能描述，还包含了原理图参考、Option配置以及Layout设计注意事项等重要信息。 文档详细列出了锂电池保护芯片的各个参数，如过充电保护电压、放电过流保护阈值、充电高温保护、过充电恢复电压、放电过流保护延时等，这些参数均可通过上位机配置。这意味着用户可根据实际应用需求调整保护参数，以适应不同的电池规格和使用环境。例如，过充电保护电压可在3.6V到4.5V之间调整，充电过流阈值也可设定在20mV到200mV之间，以确保在电池充电过程中有效防止过充现象发生。 文档还提供了一系列的功能列表，例如欠压负载锁定功能，支持电压保护精度，以及异常高压保护等。这些功能旨在为锂电池提供全方位的保护，包括防止电压过低导致的负载损失和防止异常高压情况下的潜在安全风险。 Option配置部分则详细描述了如何根据不同的应用场景配置芯片。包括如何通过设置特定的参数来控制MOSFET的充放电过流，以及如何进行异常高压和断线检测等。此外，文档提供了具体的配置代码，如“ENMOS=1”等，这些代码可直接用于芯片的配置过程。 在Layout设计注意事项方面，文档提出了多个设计要点，以确保芯片在电路板上的安装和运行符合最佳性能。比如，芯片采用单点接地，以减少干扰；芯片的走线应该尽可能的等长等宽以减少电流采样的干扰；在大电流回路设计时，需要考虑到足够的线宽和散热余量。同时，芯片的采样端应经过RC滤波后连接，以减少噪声干扰。对于大电流回路的线宽和散热，以及多个功率MOS并联的情况，文档也提出了具体的建议。 在文档末尾，提供了芯片的原理图参考，包含了各个元件的具体位置和连接方式，如NPN晶体管、电阻等元件的排列。这些信息对于硬件设计师来说至关重要，有助于他们更准确地理解和布局芯片电路。 总体来说，这份资料为硬件工程师提供了详细的设计参考和实施指南，包括了参数配置、保护功能、布线原则、元件选型等，是进行锂电池保护电路设计不可或缺的资料。通过深入分析这份资料，设计师可以有效地将SH367309芯片集成到他们的产品中，并确保锂电池的安全性和可靠性。