SH367309_16S_半分口_保护模式_V1.3.pdf

SH367309_16S_半分口_保护模式_V1.3.pdf 该文件详细介绍了SH367309_16S_半分口_保护模式_V1.3的原理图、参数及功能、Option配置等信息。 一、原理图 该部分未提供具体的原理图信息，但根据文件名可以推断出该文件与电池管理芯片相关。 二、参数及功能 该部分详细列出了SH367309_16S_半分口_保护模式_V1.3的参数及功能，包括： 1. 过充电保护电压：3.6V~4.5V（可配置） 2. 放电过流阈值：20mV~200mV（可配置） 3. 充电高温保护：40℃~99℃（可配置） 4. 过充电恢复电压：3.3V~4.5V（可配置） 5. 放电过流保护延时：50mS~40S（可配置） 6. 充电高温保护恢复：40℃~99℃（可配置） 7. 过充电保护延时：0.1S~40S（可配置） 8. 放电过流2阈值：30mV~500mV（可配置） 9. 充电低温保护：-40℃~15℃（可配置） 10. 平衡开启电压：3.3V~4.5V（可配置） 11. 放电过流2保护延时：10mS~20S（可配置） 12. 充电低温保护恢复：-40℃~15℃（可配置） 13. 过放电保护电压：2.0V~3.1V（可配置） 14. 放电短路阈值：50mV~1000mV（可配置） 15. 放电高温保护：40℃~99℃（可配置） 16. 过放电恢复电压：2.0V~3.6V（可配置） 17. 短路保护延时：0uS~960uS（可配置） 18. 放电高温保护恢复：40℃~99℃（可配置） 19. 过放电保护延时：0.1S~40S（可配置） 20. 充电过流阈值：20mV~200mV（可配置） 21. 放电低温保护：-40℃~15℃（可配置） 22. 预充电开启电压：1.0V~3.0V（可配置） 23. 充电过流保护延时：10mS~20S（可配置） 24. 放电低温保护恢复：-40℃~15℃（可配置） 25. 预充电开启延时：1S 26. 放电过流恢复延时：100mS~2000mS（可配置） 27. 温度保护及释放延时：2S 28. 低电压禁止充电电压：0.5V~2.0V（可配置） 29. 充电过流恢复延时：500mS 30. 温度保护精度：±4℃（最大） 31. 异常高压保护电压：3.8V~5.0V（可配置） 32. 电流保护精度：阈值<100mV：±10mV，阈值≥100mV：±10% 33. NTC 选型：103AT(B=3435,3950) 三、Option 配置 该部分提供了Option配置的信息，包括ENMOS、CTL、CHG、ENPCH、OPCM、BAL、E0VB、DIS_PF、CTLC等option的配置信息。 四、Layout 注意事项 该部分提供了Layout设计的注意事项，包括： 1. 芯片采用单点接地，防止B端抖动对芯片产生干扰。 2. 芯片RS1、RS2到采样电阻端的走线采用差分走线，减小走线对电流采样的干扰。 3. 若保护板有均衡功能，电压采集的走线需足够粗，防止均衡启动时，走线的压降太大，导致电压采集误差。 4. 芯片最高节VBAT和VC17连接线直接从B+端子引出，不要从功率电流的地方引出，防止在大电流放电时，功率走线的振荡引起芯片的采样产生误差。 5. VCN端口每一路的采样端需经过RC滤波之后，再连接到芯片端口。 6. VBAT 处的RC滤波电路尽量采用0805封装电阻、电容，因为存在尖峰电压的情况下，0603封装元件由于功率不足容易损坏，导致芯片工作异常。 7. 大电流回路的线宽和散热要有足够的余量。 8. 多个功率MOS并联时，建议在每个MOS的G端串联47欧姆电阻，避免功率MOS关闭速度不一致。 9. 必须从电池包的正端单独拉一根线至PCB板的B+，否则系统不能正常工作。 该文件提供了SH367309_16S_半分口_保护模式_V1.3的详细信息，包括原理图、参数及功能、Option配置、Layout注意事项等，为设计和开发相关产品提供了有价值的参考。