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2023-09-30
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光伏行业专题报告：龙头全面倒向 BC 方案，产业链影响几何
IBC 电池工艺难度较高，与其他技术具有较好的兼容性
IBC 电池正面无栅线，背面呈插指状排列 P、N 区以及金属化栅线
1975 年，Schwartz 和 Lammert 首次提出背接触式太阳电池概念。经过多年发展，人们研发出了叉指式背接触（IBC）
太阳电池。IBC 最大特点是正面无栅线，而是在电池背面制备出呈叉指状间隔排列的 P、N 区，以及在其上面分别形成
金属化栅线。
IBC 电池发射极位于电池背面，而入射光中能量较大的光子在电池前表面区域被吸收生成电子空穴对之后，前表面处
的非平衡少子需运动至少整个衬底厚度 并达到背面 pn 结附近才可以被有效收集、分离，因此 IBC 电池对硅片体寿
命要求更高。由于 N 型硅片具有更高的体寿命，能够保证非平衡载流子在复合前顺利到 达背面 pn 结区域，因此目
前大部分 IBC 电池均以 N 型硅片为衬底。
在 IBC 电池的正面结构中，一般先是通过掺磷形成 n+FSF（正表面场），能够有效阻挡少子向较高缺陷密度的表面
附近移动，降低少子复合几率。之后再在 正面形成 SiO2/SiNx 叠层钝化，一是起到减反作用，提高电池对光的吸收
率，二是可以抑制电池表面少子复合。
电池背面通过掺硼/磷形成交叉排布的 n+BSF（背表面场）/p+emitter（发射极），两者之间由未进行重掺杂的基区分
隔开来，且各掺杂区对应的正负电极 栅线也交叉排布在 IBC 电池的背表面。其中 p+emitter 与 N 型硅片形成 PN 结，
n+BSF 与前表面 n+FSF 形成高低结，增强电池具备发电能力。另外，背面钝化层用 于钝化 n+BSF、n 型基区以及
p+emitter。
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