P2103NVG PDF

### P2103NVG N+P型场效应管技术概述 #### 一、引言 P2103NVG是一种N+P型场效应管(FET)，广泛应用于液晶显示器高压板等电子设备中。该器件采用了增强模式的设计，并且封装在SOP-8的无铅封装内。本文将基于提供的文档详细解析P2103NVG的主要特性与应用。 #### 二、绝对最大额定值 P2103NVG具有严格的绝对最大额定值限制，确保了其在各种工作条件下的安全性和可靠性。这些最大额定值包括： 1. **漏源电压(VDS)**：N通道为+30V，P通道为-30V。 2. **栅源电压(VGS)**：对于N通道和P通道均为±20V。 3. **连续漏极电流(ID)**：在环境温度25°C时，N通道为7A，P通道为-6A；当环境温度升高至70°C时，N通道降为6A，P通道降为-5A。 4. **脉冲漏极电流(IDM)**：在25°C环境下，N通道可达到28A，P通道可达-24A。 5. **功率耗散(PD)**：当环境温度为25°C时为1.3W。 6. **结温与存储温度范围(Tj, Tstg)**：从-55°C到150°C。 7. **引脚温度(TL)**：最高可承受275°C（测试条件下，距离壳体1/16英寸的位置持续10秒）。 #### 三、热阻 P2103NVG的热阻也是衡量其性能的重要指标之一。具体参数如下： - **结到环境的热阻(RθJA)**：典型值为62.5°C/W。 #### 四、电气特性 在25°C的条件下，P2103NVG的关键电气特性如下： 1. **漏源击穿电压(V(BR)DSS)**：N通道为30V，P通道为-30V。 2. **栅阈电压(VGS(th))**：N通道的范围为0.8V至2.5V，P通道的范围为-2.5V至-0.8V。 3. **栅体泄漏电流(IGSS)**：在VDS为0V，VGS为±20V的条件下，N通道和P通道均为±100nA。 4. **零栅压漏电流(IDSS)**：在55°C的结温下，N通道的最大值为10μA，P通道的最大值为-10μA。 5. **开启状态漏电流(ID(ON))**：N通道为28A，P通道为-24A。 6. **开启状态漏源电阻(RDS(ON))**：在N通道中，VGS为4.5V时，RDS(ON)的范围为14mΩ至21mΩ；在P通道中，VGS为-4.5V时，RDS(ON)的范围为28mΩ至35mΩ。 7. **前向跨导(gfs)**：N通道为8mS至14mS，P通道为7mS至10mS。 8. **输入电容(Ciss)**：N通道为1700pF，P通道为970pF。 9. **输出电容(Coss)**：N通道为380pF，P通道为370pF。 10. **反向转移电容(Crss)**：N通道为260pF，P通道为180pF。 11. **总栅极电荷(Qg)**：N通道为40nC，P通道为28nC。 12. **栅源电荷(Qgs)**：N通道为28nC，P通道为6nC。 13. **栅漏电荷(Qgd)**：N通道为12nC。 #### 五、应用领域 P2103NVG因其优异的电气特性和可靠性，在多个领域有着广泛的应用，特别是在液晶显示器高压板上。其主要应用包括但不限于： - **电源转换器**：作为开关元件用于AC/DC和DC/DC转换器中。 - **电机驱动**：用于驱动小型电机，如风扇电机等。 - **保护电路**：作为过流保护和短路保护等。 #### 六、总结 P2103NVG是一款高性能的N+P型场效应管，具有良好的电气特性和广泛的适用性。通过对其绝对最大额定值、热阻、电气特性的详细解析，我们可以了解到这款场效应管的具体性能和应用场景，这对于设计者来说是非常宝贵的参考资料。在未来的技术发展中，P2103NVG将继续在电子行业中发挥重要作用。