TH58NVG5D2ETA20 手册

### TH58NVG5D2ETA20 NAND Flash 数据手册关键知识点 #### 一、产品概述 **TH58NVG5D2ETA20** 是一款由东芝生产的 **32GBit (4G×8Bit)** 的 CMOS NAND 闪存（Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory，简称NAND E2PROM）。该存储器采用了多级单元（Multi-Level-Cell，MLC）技术，并且支持3.3V的工作电压。这款NAND闪存被设计为拥有(8192+376)字节×128页×4168块的组织结构，其中每个块包含1兆字节+47千字节的数据容量。 #### 二、主要特性与功能 - **组织结构**：TH58NVG5D2ETA20的存储阵列由8568×260.5K×8×2个单元组成，每个页面大小为8568字节，而每个块的大小则为(1M+47K)字节。 - **工作模式**：支持多种操作模式，包括读取、重置、自动页面编程、自动块擦除、状态读取、页面复制、多页面编程、多块擦除、多页面复制以及多页面读取等。 - **控制方式**：通过串行输入/输出进行命令控制，即利用I/O引脚完成地址和数据的输入/输出以及命令的输入。 - **有效块数量**：最小支持3936块，最大可达4168块。 - **电源供应**：工作电压范围为2.7V到3.6V，适用于不同的应用场景。 - **访问时间**：从存储阵列到寄存器的最大访问时间为200微秒；串行读取周期最小为25纳秒。 - **编程/擦除时间**：每页的自动页面编程时间大约为1600微秒；每块的自动块擦除时间为3毫秒。 - **电流消耗**：在读取模式下（30纳秒周期），最大电流为50mA；编程和擦除平均电流均为50mA；待机状态下最大电流为150微安。 - **封装**：采用TSOPI 48-P-1220-0.50C封装，典型重量约为0.53克。 #### 三、内部架构与操作原理 - **静态寄存器**：该设备配备了两个8568字节的静态寄存器，用于实现寄存器与内存单元之间的数据传输。每次可以传输8568字节的数据。 - **擦除操作**：擦除操作以单个块为单位进行，每个块包含8568字节×128页的数据量。 - **串行型内存**：这款NAND闪存是一种串行型内存设备，其所有的地址、数据输入/输出以及命令输入均通过I/O引脚完成。 - **自动执行操作**：擦除和编程操作均可自动执行，这使得该设备非常适合应用于固态文件存储、语音记录、数码相机图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的应用场景。 #### 四、接口与引脚定义 根据提供的部分内容显示，TH58NVG5D2ETA20具有48个引脚，其中包括： - I/O1 至 I/O8（用于数据/地址/命令输入输出） - VCC 和 VCCQ（电源引脚） - VSS（接地） - PSL（编程选择线） #### 五、可靠性与应用建议 为了确保设备的可靠性，请参照应用指南和注释中的可靠性指导。此外，对于每个1024字节的数据，需要使用24位的错误校正码（ECC）来提高数据的可靠性和完整性。 TH58NVG5D2ETA20是一款高性能的NAND闪存芯片，具有较高的存储密度和灵活的操作模式，适用于多种非易失性存储需求。