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SIDC03D65C8 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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SIDC03D65C8 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册
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SIDC03D65C8
Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD D, L4014C, Edition 1.0, 12.09.2011
Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
Recommended for:
• Power module
• Discrete components
Features:
• 650V EMCON 3 technology 65 µm chip
• Soft, fast switching
• Low reverse recovery charge
• Small temperature coefficient
• Qualified according to JEDEC for target
applications
Applications:
• Drives
• White goods
• Resonant applications
A
C
Chip Type V
R
I
Fn
1 )
Die Size Package
SIDC03D65C8
650V 10A 1.82 x 1.82 mm
2
sawn on foil
1 )
nominal forward current at Tc = 100°C, not subject to production test - verified by design/characterisation
Mechanical Parameters
Die size 1.82 x 1.82
Area total 3.31
Anode pad size 1.39 x 1.39
mm
2
Thickness 65 µm
Wafer size 200 mm
Max. possible chips per wafer 8499
Passivation frontside Photoimide
Pad metal 3200 nm AlSiCu
Backside metal Ni Ag –system
Die bond Electrically conductive epoxy glue and soft solder
Wire bond
Al, ≤500µm
Reject ink dot size
∅ 0.65mm; max 1.2mm
for original and
sealed MBB bags
Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,
< 6 month
Storage environment
for open MBB bags
Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,
Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month
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