BSC077N12NS3 G英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的BSC077N12NS3 G是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于OptiMOSTM3系列,专为120V工作电压环境设计。这款芯片具有多个显著特点,使其在高频率切换和同步整流应用中表现出色。 首先,它的门电荷与RDS(on)乘积(FOM)极佳,这意味着它在开关操作时能有效降低能量损耗,提高效率。RDS(on)是指MOSFET在开启状态下的漏源电阻,对于BSC077N12NS3 G,这个值最大为7.7mΩ,非常低,这将导致在传导电流时产生的压降最小,从而减少热损耗。 其次,该芯片可承受150°C的工作温度,远高于许多其他MOSFET,这增加了其在高温环境下的稳定性和可靠性。此外,该器件采用Pb-free(无铅)铅镀层,符合RoHS标准,对环境友好,同时符合JEDEC的J-STD和JESD222标准,确保了产品质量和兼容性。 BSC077N12NS3 G采用SuperSO8封装,其引脚布局为D7到D1,其中DS表示源极,S1和S2代表第一和第二源极,3G是栅极,4M是漏极。这种封装设计旨在优化空间利用和散热性能。 规格书中详细列出了关键性能参数,包括最大额定值、热特性、电气特性以及电气特性曲线图。这些参数提供了芯片在不同条件下的工作限制和性能指标。例如,最大漏源电压VDS为120V,最大连续漏极电流ID98A是在特定条件下设定的。 另外,该手册还包含了包装配图,用于指导安装和布局,以及修订历史,记录了产品开发和改进的过程。最后,手册中可能还包括英飞凌的商标信息和其他相关链接,方便用户获取更多信息和支持。 总的来说,英飞凌的BSC077N12NS3 G是一款高效、耐高温且环保的N沟道MOSFET,适用于需要高速切换和高效能源管理的电子设备,如电源转换器、电机驱动器和功率管理系统。其优秀的电气特性和紧凑的封装设计使得这款芯片成为高要求应用的理想选择。
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