IRFP260N英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

IRFP260N是一款由英飞凌（INFINEON）公司生产的HEXFET®功率MOSFET芯片，主要用于工业和商业应用中的高功率级别场景。这款芯片以其高效的性能和可靠的耐用性而著称。以下是一些关于IRFP260N的关键参数和技术规格： 1. **连续漏极电流 (ID)**：在25°C和100°C的温度条件下，IRFP260N分别可以承受50A和35A的连续漏极电流，这表明了它在不同温度下的稳定工作能力。 2. **脉冲漏极电流 (IDMP)**：该芯片能够承受高达200A的脉冲漏极电流，适合处理瞬时大电流的需求。 3. **功率耗散 (PD)**：在25°C时，芯片的最大功率耗散为300W，但随着温度的升高，其功率耗散能力将线性下降，每升高1°C下降2.0W。 4. **栅极-源极电压 (VGS)**：芯片能承受的栅极-源极电压范围是±20V，确保了其在正常工作条件下的稳定性。 5. **雪崩能量 (EAS, EAR)**：IRFP260N具有良好的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩能量为560mJ，重复雪崩能量为30mJ，这意味着在短路或过载情况下，它仍能保持结构完整。 6. **开关速度**：得益于先进的工艺技术，IRFP260N具有快速的开关速度，适合高频操作。 7. **热特性**：结-壳热阻（RθJC）为0.50°C/W，结-环境热阻（RθJA）为40°C/W，这些值反映了芯片在散热方面的效率。为了进一步提高散热性能，推荐使用带有隔离安装孔的TO-247封装。 8. **封装与安装**：TO-247AC封装是专为商业和工业应用设计的，尤其适合高功率水平的应用。建议使用6-32或M3螺丝进行安装，且安装扭矩为10 lbf·in (1.1N·m)。 9. **反向恢复时间 (trr)**：反向恢复时间是指二极管从导通状态转变为截止状态所需的时间，对于IRFP260N，这个值在268到402ns之间，意味着其二极管的动态特性较好。 10. **驱动要求**：IRFP260N的驱动要求简单，易于并联使用，降低了设计复杂性。 IRFP260N是一款高性能的功率MOSFET，适合于需要高效能、高可靠性及良好散热能力的电力电子设备，如电机驱动、电源转换和负载开关等应用场景。其先进的工艺技术确保了低导通电阻（RDS(on) = 0.04Ω），提高了电路的能效，而宽泛的工作温度范围（-55 to +175°C）则保证了它在各种环境条件下的稳定性。