IPN60R1K0CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPN60R1K0CE是一款基于超级结（Superjunction）技术的CoolMOS™ CE功率MOSFET芯片，专为满足消费电子和照明市场的成本敏感应用而设计，同时保持了高效率标准。这款MOSFET在600V电压下工作，提供了一个优化的价格性能比。 1. **技术特点**： - 极低的损耗：由于其非常低的FOM（Figure of Merit，表征参数）Rdson*Qg（导通电阻乘以栅极电荷），这使得在开关过程中损失的能量大大降低。 - 高耐受性：具有很强的换流坚固性，能够承受高电流切换时产生的应力。 - 易于使用和驱动：设计简单，易于驱动，适合各种应用场景。 - 环保特性：采用无铅镀层，无卤素封装材料，符合环保要求。 - 应用广泛：适用于适配器、充电器和照明设备等标准等级的应用。 2. **关键性能参数**： - 最大漏源电压（VDS @ Tj,max）：650V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：1欧姆 - 栅极电荷（Qg,typ）：13纳库仑 - 脉冲电容（CID,pulse）：11.8安秒 - 体二极管的di/dt：500A/微秒 3. **并联使用建议**： 当需要并联多个MOSFET时，一般推荐在栅极上使用铁氧体珠或独立的对地回路（totem pole）以减少相互之间的寄生效应，确保稳定工作。 4. **封装与标记**： IPN60R1K0CE芯片采用PG-SOT223封装，标记为60S1K0。此封装小巧紧凑，适用于需要高效散热的设计。 5. **规格书内容**： - 描述：详细介绍了芯片的功能和设计理念。 - 最大额定值：列出了芯片能承受的最大电气和热参数。 - 热特性：提供了芯片在不同工作条件下的散热性能数据。 - 电气特性：详细列出各项电气参数，如开启电压、关断时间、输入电容等。 - 应用电路图和推荐使用方法：指导用户如何正确地在实际电路中使用该芯片。 6. **超级结技术**： 超级结MOSFET（Superjunction MOSFET）通过创新的结构设计，降低了导通电阻，提升了开关速度，并降低了开关损耗。这种技术显著提高了器件的效率和功率密度。 IPN60R1K0CE是英飞凌公司的一款高性能、高性价比的功率MOSFET，凭借其卓越的技术特点和易用性，广泛应用于需要高效、可靠电力转换的领域。