IPN60R1K0CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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英飞凌的IPN60R1K0CE是一款基于超级结(Superjunction)技术的CoolMOS™ CE功率MOSFET芯片,专为满足消费电子和照明市场的成本敏感应用而设计,同时保持了高效率标准。这款MOSFET在600V电压下工作,提供了一个优化的价格性能比。 1. **技术特点**: - 极低的损耗:由于其非常低的FOM(Figure of Merit,表征参数)Rdson*Qg(导通电阻乘以栅极电荷),这使得在开关过程中损失的能量大大降低。 - 高耐受性:具有很强的换流坚固性,能够承受高电流切换时产生的应力。 - 易于使用和驱动:设计简单,易于驱动,适合各种应用场景。 - 环保特性:采用无铅镀层,无卤素封装材料,符合环保要求。 - 应用广泛:适用于适配器、充电器和照明设备等标准等级的应用。 2. **关键性能参数**: - 最大漏源电压(VDS @ Tj,max):650V - 最大导通电阻(RDS(on),max):1欧姆 - 栅极电荷(Qg,typ):13纳库仑 - 脉冲电容(CID,pulse):11.8安秒 - 体二极管的di/dt:500A/微秒 3. **并联使用建议**: 当需要并联多个MOSFET时,一般推荐在栅极上使用铁氧体珠或独立的对地回路(totem pole)以减少相互之间的寄生效应,确保稳定工作。 4. **封装与标记**: IPN60R1K0CE芯片采用PG-SOT223封装,标记为60S1K0。此封装小巧紧凑,适用于需要高效散热的设计。 5. **规格书内容**: - 描述:详细介绍了芯片的功能和设计理念。 - 最大额定值:列出了芯片能承受的最大电气和热参数。 - 热特性:提供了芯片在不同工作条件下的散热性能数据。 - 电气特性:详细列出各项电气参数,如开启电压、关断时间、输入电容等。 - 应用电路图和推荐使用方法:指导用户如何正确地在实际电路中使用该芯片。 6. **超级结技术**: 超级结MOSFET(Superjunction MOSFET)通过创新的结构设计,降低了导通电阻,提升了开关速度,并降低了开关损耗。这种技术显著提高了器件的效率和功率密度。 总之,IPN60R1K0CE是英飞凌公司的一款高性能、高性价比的功率MOSFET,凭借其卓越的技术特点和易用性,广泛应用于需要高效、可靠电力转换的领域。
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