IPN70R900P7S 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的IPN70R900P7S是一款采用CoolMOS P7技术的700V MOSFET功率晶体管,专为成本敏感的消费类应用设计,如充电器、适配器、照明和电视等。CoolMOS技术基于超结(Superjunction)原理,它在高压MOSFET领域具有革命性的影响,提供了优秀的性能和成本效益。 该芯片的主要特点包括: 1. 极低的损耗:由于非常低的RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss参数,使得开关损失极低。 2. 出色的热性能:芯片具备良好的散热能力,有助于维持较低的工作温度。 3. 集成ESD保护二极管:内置的静电放电保护提高了芯片的耐用性。 4. 低切换损耗(Eoss):进一步优化了高速开关时的效率。 5. 产品按照JEDEC标准进行验证,确保了可靠性和一致性。 这些特性为用户带来了诸多益处: 1. 竞争力的价格:通过优化设计,降低了生产成本。 2. 较低的温度:较低的损耗和热性能有助于减少系统发热。 3. 高ESD耐受性:增强芯片对静电冲击的防护能力。 4. 提高高频切换下的效率:在更高的开关频率下仍能保持高效运行。 5. 实现高功率密度设计和小型化:支持更紧凑的设计和小尺寸封装。 IPN70R900P7S适用于例如充电器、适配器和照明应用中的反激拓扑结构。在并联使用MOSFET时,通常建议在门极或分离的对称极上使用铁氧体珠,以提高稳定性。 关键性能参数包括: - VDS @ Tj = 25°C:700V,这是MOSFET的额定漏源电压。 - RDS(on), max:最大漏源电阻为0.9Ω,直接影响导通损耗。 - Qg, typ:典型的栅极电荷为6.8nC,影响开关速度。 - CID, pulse:脉冲电容为12.8A,与瞬态响应有关。 - Eoss @ 400V:400V时的开关能量损耗为0.9µJ。 - V(GS)th, typ:典型的栅极阈值电压为3V。 - ESD等级(HBM):1C级人体模型静电放电保护等级。 封装类型为PG-SOT223,其封装标记为70S900。此数据表的附录A中提供了更多相关信息。总体而言,IPN70R900P7S是针对需要高效、小型化和成本效益的电源转换应用的理想选择。
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