IRFHS8342 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
**IRFHS8342 英飞凌HEXFET功率MOSFET芯片详解** IRFHS8342是一款由英飞凌科技(INFINEON)制造的高性能功率MOSFET,适用于电源管理中的降压转换器控制以及系统或负载开关应用。该器件的中文版规格书提供了详细的电气参数、应用范围以及封装信息,为设计工程师提供了全面的技术参考。 **主要特性与优势:** 1. **低RDS(on)**:RDS(on)是衡量MOSFET导通电阻的关键参数,IRFHS8342的典型值仅为16.0mΩ,这意味着在工作时,其传导损耗较低,从而提高了效率。 2. **低热阻**:芯片至印刷电路板(PCB)的热阻低,最大值不超过13°C/W。这有助于提高散热性能,降低热应力,确保设备稳定运行。 3. **低剖面设计**:封装高度不超过1.0mm,增加了功率密度,使得该器件在紧凑空间内的应用成为可能,同时兼容现有的表面贴装技术,简化了制造流程。 4. **环保认证**:符合RoHS标准,无铅、无溴化物、无卤素,对环境友好,体现了产品的可持续性。 5. **可靠性增强**:具有工业级资格,采用MSL1等级,意味着在湿度控制下有更长的储存寿命,提升了器件的可靠性。 **绝对最大额定值:** - **VDSDrain-to-Source电压**:最大8.8V到15V,这决定了MOSFET能承受的最大电压差。 - **VGSGate-to-Source电压**:±20V,指门极对源极的最大电压。 - **连续漏极电流ID**:在不同温度和门极电压下,有具体的电流限制,如ID @ TA = 25°C为30A,@ TA = 70°C为21A等。 **应用范围:** IRFHS8342主要应用于电源管理中的降压转换器,作为控制MOSFET,以及用作系统或负载开关,适用于需要高效能、低损耗的电子设备中。 **封装信息:** 采用2mm x 2mm的PQFN(平面阵列封装),包括IRFHS8342TRPbFP和IRFHS8342TR2PbFP两种型号,每种都是4000单位的卷盘包装。其中,EOL(End Of Life)通知#259可能表示该产品即将进入停产阶段,用户需留意更新替换方案。 **脉冲功率和热管理:** 脉冲漏极电流IDMP的限制与功率耗散PD相关,而这些都受到芯片结温TJ的影响。脉冲宽度通常限制在400μs以内,且占空比不超过2%。当安装在1英寸正方形铜板上时,热阻Rθ的测量是在TJ下进行的,确保在脉冲工作模式下的安全操作。 总结,IRFHS8342是一款高效、低损耗、易于集成的功率MOSFET,广泛应用于电源管理领域,其出色的热管理和低RDS(on)特性使其成为高功率密度应用的理想选择。同时,环保认证和可靠性增强措施进一步增强了其在市场上的竞争力。
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