BSC042N03LS G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的BSC042N03LS G是一款基于OptiMOS™3技术的功率MOSFET芯片，适用于快速切换的开关电源（SMPS）和优化的DC/DC转换器应用。该芯片具有JEDEC1的资格认证，确保在目标应用中的可靠性。BSC042N03LS G是一款N沟道逻辑电平MOSFET，具备出色的门极电荷乘以漏源导通电阻（FOM）产品，这表明其在开关性能上非常优秀，能实现高效能转换。 这款MOSFET在设计上注重低导通电阻（R DS(on)），在25°C时，当栅源电压V GS为10V时，连续漏源电流I DS的最大值为93A，而在100°C时则降低到59A。同样，当V GS为4.5V时，25°C的I DS为75A，100°C时为48A。此外，它还具有卓越的热性能，包括低结壳热阻（R thJC），确保了在高功率应用中的稳定运行。 BSC042N03LS G还具备雪崩能力，单脉冲雪崩电流I AS在25°C时为50A，而单脉冲雪崩能量E AS在I D=40A，R GS=25Ω时为50mJ，这表明芯片能够承受过载情况而不受损坏。门极源电压V GS的额定值为±20V，确保了控制电路的兼容性。 在脉冲漏源电流方面，芯片在25°C时可承受的最大脉冲漏源电流I D,pulse为372A。对于反向二极管的dv/dt特性，当I D=50A，V DS=24V，di/dt=200A/μs，最大结温T j,max=150°C时，dv/dt可达6kV/μs，显示了良好的瞬态响应能力。 在功率耗散（P tot）方面，当结温T C=25°C时，最大值为57W，而采用50K/W的热阻R thJA时，结温T A=25°C下的P tot为2.5W。操作和储存温度范围广泛，从-55°C到150°C，符合IEC的气候类别标准。 热特性方面，结壳热阻R thJC（底部）和（顶部）分别未指定，但有提及底面的热阻为2.2K/W，顶面的热阻为18K/W。对于安装在PCB上的器件，其R thJA（6cm²冷却面积）的数值未给出。电气特性中，静态特性包括漏源击穿电压V (BR)DSS、门阈电压V GS(th)以及零门电压漏源电流I DSS等，动态特性如漏源导通电阻R DS(on)和门极电阻R G也得到了详细规定，这些参数在25°C时进行了测试。 BSC042N03LS G是专为高效电源转换而设计的高性能MOSFET，其低导通电阻、优异的开关速度和强大的雪崩能力使其成为各种电源系统中的理想选择。由于其符合JEDEC标准和RoHS及无卤素要求，该芯片也适合环保型电子产品。