IMZA120R020M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMZA120R020M1H是一款基于CoolSiC™技术的1200伏硅碳化硅（SiC）沟槽MOSFET，其设计和特性旨在提供卓越的性能和效率。这款芯片采用了先进的.XT互连技术，显著提升了热性能，适合各种工业应用。 关键特性包括： 1. **耐压能力**：在结温为25°C时，最大额定电压（VDSS）为1200伏。 2. **电流承载能力**：在相同条件下，连续漏电流（IDCC）达到98安培。 3. **低导通电阻**：在栅极电压VGS为18伏时，RDS(on)仅为19毫欧，降低了传导损耗。 4. **低切换损耗**：设计优化了开关过程中的能量损失，提高了系统的整体效率。 5. **短路承受时间**：能够承受3微秒的短路条件，增强了系统稳定性。 6. **门阈值电压**：具有稳定的基准门阈值电压（VGS(th)）为4.2伏，确保了可靠的开关控制。 7. **抗寄生导通**：允许在关断时应用0伏的栅极电压，防止意外开启。 8. **坚固的体二极管**：内置体二极管设计，适用于硬换流，提高了系统的鲁棒性。 潜在的应用领域广泛，包括： 1. **通用驱动器（GPD）**：适用于各类电机驱动系统，如风机、泵等。 2. **电动汽车充电**：在电动汽车充电站中，SiC MOSFET的高效性能可降低能源损失。 3. **在线UPS/工业UPS**：在不间断电源系统中，提高电源转换效率和可靠性。 4. **串式逆变器**：在光伏逆变器中，利用SiC MOSFET的高速切换和低损耗特性。 5. **太阳能功率优化器**：优化太阳能电池板的功率输出。 封装信息： 该器件采用PG-TO247-4-STD-T3.712M1H020封装，其中4引脚设计中源极和感测引脚不可互换，以免导致功能异常。产品已通过JEDEC的相关测试，符合工业应用标准。 文档中还包含了重要的注意事项和警告，建议用户在使用前详细阅读。此规格书的发布日期为2022年1月31日，版本号为1.00，可在英飞凌官方网站上获取最新信息。 IMZA120R020M1H是一款高性能的SiC MOSFET，结合了先进的材料和工艺，旨在为高电压、大电流应用提供高效、可靠的解决方案。它的低损耗特性、出色的热性能以及对短路和寄生效应的防护，使其成为电力电子系统设计的理想选择。