IPA70R600P7S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPA70R600P7S是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的CoolMOS P7高电压功率MOSFET芯片，适用于消费类市场的成本敏感应用，如充电器、适配器、照明和电视等。这款最新的CoolMOS P7优化了平台，旨在提供快速切换的超结MOSFET的优点，同时保持优秀的性价比和易于使用的特点。 该芯片的主要特性包括： 1. 极低的损耗：由于非常低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss，导致开关损失极小。 2. 优秀的热性能：良好的热行为确保芯片在运行时保持较低温度，提高整体系统效率。 3. 集成ESD保护二极管：内置的静电放电保护提高了芯片的耐用性。 4. 低开关损失（Eoss）：这使得在高频开关操作下仍能实现效率提升。 5. 高ESD抗扰度：增强的ESD稳健性，增强了芯片在恶劣环境下的可靠性。 6. 支持高功率密度设计和小型化封装：适合制作纤薄且高性能的设备。 针对潜在的应用，IPA70R600P7S特别推荐用于飞背式拓扑结构，如充电器、适配器和照明应用。并请注意，当并联使用MOSFET时，一般建议在门极使用铁氧体珠或独立的对称极结构，以优化性能。 关键性能参数如下： - 最大 drain-source 电压（VDS @ Tj=25°C）：700V - 最大漏源导通电阻（RDS(on),max）：0.6Ω - 总栅极电荷（Qg,typ）：10.5nC - 脉冲电荷（ID,pulse）：20.5A - 开关能量损失（Eoss @ 400V）：1.2µJ - 栅极阈值电压（V(GS)th,typ）：3V - ESD类别（HBM）：2级 封装形式为PG-TO 220 FullPAK，产品代码为70S600P7。此规格书提供了详细的描述、最大额定值、电气特性、推荐使用场景以及安全操作区等相关信息，对于理解和使用IPA70R600P7S芯片至关重要。通过深入理解这些参数和特性，设计师可以充分利用这款芯片的优势，优化其在目标应用中的性能。