IPB65R045C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R045C7是一款基于超级结（Superjunction）技术的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于CoolMOS™ C7系列。这款芯片的设计旨在提供高性能、高效能以及高可靠性的电源管理解决方案。以下是关于这个芯片的详细知识点： 1. **超级结技术**：超级结技术是MOSFET的一种创新设计，通过在N型和P型半导体材料之间创建交替的薄层结构，以减小通态电阻，提高电流密度，从而提升效率。 2. **CoolMOS™ C7系列**：该系列结合了英飞凌在超级结MOSFET领域的先进经验和技术创新。其产品特性包括更快的开关速度、更高的效率、更低的门电荷、易于驱动和卓越的可靠性。 3. **关键参数**： - **最大漏源电压（VDS @ Tj,max）**：700V，这意味着芯片可以在最高700伏的电压下安全工作。 - **最大漏源导通电阻（RDS(on),max）**：45毫欧，表示在导通状态下的电阻，低的RDS(on)意味着在大电流下有更低的功率损耗。 - **门电荷（Qg.typ）**：93纳库仑，门电荷代表了开启或关闭晶体管所需的电荷量，较小的门电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 - **电容（CID,pulse）**：212A，这是在脉冲条件下存储的电荷，影响开关性能。 - **反向恢复电荷（Eoss@400V）**：11.7微焦耳，表示在断开状态下，体二极管恢复到高阻状态时释放的电荷。 - **体二极管di/dt**：60A/微秒，表示体二极管能够承受的最大电流变化率，体现其瞬态响应能力。 4. **优势**： - **系统效率提升**：由于优秀的FOM（Figure of Merit）指标RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg，芯片可提高整体系统的效率。 - **高频/高功率密度**：允许更高的工作频率和更紧凑的功率密度设计。 - **成本/尺寸节省**：由于冷却需求降低，可以减少系统成本和尺寸。 - **系统可靠性增强**：由于运行温度较低，芯片具有更高的系统可靠性。 5. **应用领域**：适用于计算、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能系统的功率因数校正（PFC）阶段和硬开关PWM（脉宽调制）阶段。 6. **封装与标识**：IPB65R045C7采用PG-TO 263封装，标记为C7045。该芯片符合工业级应用的JEDEC标准（J-STD-20和JESD22），并且采用无铅电镀和无卤素封装材料。 7. **并联使用注意事项**：当多个MOSFET并联使用时，推荐使用门极扼流圈或独立的对地连接，以防止不一致的开关行为和潜在的振荡问题。 IPB65R045C7是一款针对高压电源应用设计的高性能MOSFET，凭借其出色的性能参数和可靠性，为各种电力电子系统提供了高效且可靠的解决方案。