IPB044N15N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
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1
IPB044N15N5
2016-04-06Final Data Sheet
1
7
tab
D²-PAK7pin
Drain
Pin 4, tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 2,3,5,6,7
MOSFET
OptiMOS
ª
5Power-Transistor,150V
Features
Features
•ExcellentgatechargexR
DS(on)
product(FOM)
•Verylowon-resistanceR
DS(on)
•Verylowreverserecoverycharge(Q
rr
)
•175°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordingtoJEDEC
1)
fortargetapplication
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
150 V
R
DS(on),max(TO263)
4.4 mΩ
I
D
174 A
Q
rr
42 nC
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPB044N15N5 PG-TO263-7 044N15N5 -
1)
J-STD20 and JESD22
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