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1
IPB048N15N5LF
Rev.2.0,2017-03-29Final Data Sheet
D²PAK
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
MOSFET
OptiMOS
TM
5LinearFET,150V
Features
•Idealforhot-swapande-fuseapplications
•Verylowon-resistanceR
DS(on)
•WidesafeoperatingareaSOA
•N-channel,normallevel
•100%avalanchetested
•Pb-freeplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordingtoJEDEC
1)
fortargetapplications
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
150 V
R
DS(on),max
4.8 mΩ
I
D
(siliconlimited) 182 A
I
D
(packagelimited) 120 A
I
pulse
(V
DS
=56V,t
p
=10
ms)
10.8 A
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IPB048N15N5LF PG-TO 263-3 048N15LF -
1)
J-STD20 and JESD22

2
OptiMOS
TM
5LinearFET,150V
IPB048N15N5LF
Rev.2.0,2017-03-29Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

3
OptiMOS
TM
5LinearFET,150V
IPB048N15N5LF
Rev.2.0,2017-03-29Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
C
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current I
D
-
-
-
-
-
-
120
115
18
A
V
GS
=10V,T
C
=25°C
V
GS
=10V,T
C
=100°C
V
GS
=10V,T
C
=25°C,R
thJA
=40K/W
1)
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
- - 480 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
3)
E
AS
- - 30 mJ I
D
=40A,R
GS
=25Ω
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
- - 313 W T
C
=25°C
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 150 °C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/150/56
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case R
thJC
- 0.25 0.4 K/W -
Device on PCB,
minimal footprint
R
thJA
- - 62 K/W -
Device on PCB,
6 cm² cooling area
1)
R
thJA
- - 40 K/W -
1)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2)
See Diagram 3 for more detailed information
3)
See Diagram 13 for more detailed information
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