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IRF150P221 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
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IRF150P221 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
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1
IRF150P221
Rev.2.0,2018-09-21Final Data Sheet
1
2
3
PG-TO247-3
Drain
Pin 2
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
MOSFET
IRMOSFET-StrongIRFETª
Features
•VerylowR
DS(on)
•ExcellentgatechargexR
DS(on)
(FOM)
•OptimizedQ
rr
•175°Coperatingtemperature
•ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard
•Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners
Benefits
•Reducedconductionlosses
•Idealforhighswitchingfrequency
•Lowerovershootvoltage
•Increasedreliabilityversus150°Cratedparts
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
150 V
R
DS(on),typ
3.6 mΩ
R
DS(on),max
4.5 mΩ
I
D(SiliconLimited)
186 A
Q
G
(0V..10V) 80 nC
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
IRF150P221 PG-TO 247-3 IRF150P221 -
2
IRMOSFET-StrongIRFETª
IRF150P221
Rev.2.0,2018-09-21Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3
IRMOSFET-StrongIRFETª
IRF150P221
Rev.2.0,2018-09-21Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
A
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current I
D
-
-
-
-
186
132
A
V
GS
=10V,T
C
=25°C(siliconlimited)
V
GS
=10V,T
C
=100°C(silicon
limited)
1)
Pulsed drain current
1)
I
D,pulse
- - 507 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
- - 420 mJ I
D
=100A,R
GS
=50Ω
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
-
-
-
-
341
3.8
W
T
C
=25°C
T
A
=25°C,R
THJA
=40°C/W
3)
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 175 °C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1:
55/175/56
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case
4)
R
thJC
- - 0.44 °C/W -
Thermal resistance, junction -Ambient R
thJA
- - 40 °C/W -
Case-to-Sink, Flat Greased Surface R
thCS
- 0.24 - °C/W -
1)
See Diagram 3 for more detailed information
2)
See Diagram 13 for more detailed information
3)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
4)
R
thJC
is measured at T
J
approximately 90°C.
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