BSZ070N08LS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌的BSZ070N08LS5是一款基于OptiMOS 5技术的高性能N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片设计优化了用于DC/DC转换器的需求，具有卓越的门极电荷与RDS(on)乘积（FOM），这表明它在效率和开关性能方面表现优秀。其主要特点包括： 1. **非常低的导通电阻(RDS(on)**：最大RDS(on)为7.0毫欧，这使得在工作时能有效降低功率损失，提高系统效率。 2. **优化的门极电荷(Qg)**：Qg在0V到4.5V的电压范围内为14nC，快速的开关速度适合高频操作。 3. **逻辑电平栅极驱动**：N沟道MOSFET支持逻辑电平驱动，便于与标准数字电路接口。 4. **100%雪崩测试**：确保了芯片在过载条件下的安全性和可靠性。 5. **无铅电镀**：符合RoHS标准，不含铅，环保。 6. **JEDEC合格认证**：按照JEDEC1)的标准进行资格认证，适用于目标应用。 7. **符合IEC61249-2-21的卤素免费**：满足严格的无卤素要求，提高了对环境的友好性。 8. **增强型源连接**：通过增大源连接面积，提高了焊点的可靠性和耐久性。 规格书中还包含了关键性能参数的表格，如最大电压(VDS)为80V，以及在特定条件下的电气特性，如最大漏电流、栅极阈值电压等。此外，还有热特性和电气特性图，这些数据对于评估MOSFET在实际应用中的性能至关重要。封装信息（TSDSON-8 FL）和标记代码（PG-TSDSON-8 FL070N08L）也提供了安装和识别芯片的指导。 BSZ070N08LS5是一款高效、低损耗、易于驱动的功率MOSFET，适用于需要高速开关和高效能源转换的电源管理设计。其优秀的电气特性和可靠性使它成为DC/DC转换器和其他电源应用的理想选择。设计工程师在选择这款芯片时，应考虑其在具体应用中的工作条件，以充分利用其低RDS(on)和优化的开关性能。