BSZ070N08LS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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英飞凌的BSZ070N08LS5是一款基于OptiMOS 5技术的高性能N沟道功率MOSFET,适用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片设计优化了用于DC/DC转换器的需求,具有卓越的门极电荷与RDS(on)乘积(FOM),这表明它在效率和开关性能方面表现优秀。其主要特点包括: 1. **非常低的导通电阻(RDS(on)**:最大RDS(on)为7.0毫欧,这使得在工作时能有效降低功率损失,提高系统效率。 2. **优化的门极电荷(Qg)**:Qg在0V到4.5V的电压范围内为14nC,快速的开关速度适合高频操作。 3. **逻辑电平栅极驱动**:N沟道MOSFET支持逻辑电平驱动,便于与标准数字电路接口。 4. **100%雪崩测试**:确保了芯片在过载条件下的安全性和可靠性。 5. **无铅电镀**:符合RoHS标准,不含铅,环保。 6. **JEDEC合格认证**:按照JEDEC1)的标准进行资格认证,适用于目标应用。 7. **符合IEC61249-2-21的卤素免费**:满足严格的无卤素要求,提高了对环境的友好性。 8. **增强型源连接**:通过增大源连接面积,提高了焊点的可靠性和耐久性。 规格书中还包含了关键性能参数的表格,如最大电压(VDS)为80V,以及在特定条件下的电气特性,如最大漏电流、栅极阈值电压等。此外,还有热特性和电气特性图,这些数据对于评估MOSFET在实际应用中的性能至关重要。封装信息(TSDSON-8 FL)和标记代码(PG-TSDSON-8 FL070N08L)也提供了安装和识别芯片的指导。 总的来说,BSZ070N08LS5是一款高效、低损耗、易于驱动的功率MOSFET,适用于需要高速开关和高效能源转换的电源管理设计。其优秀的电气特性和可靠性使它成为DC/DC转换器和其他电源应用的理想选择。设计工程师在选择这款芯片时,应考虑其在具体应用中的工作条件,以充分利用其低RDS(on)和优化的开关性能。
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