IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

【IPD50N06S4L12ATMA2】是由INFINEON（英飞凌）公司生产的一款N沟道增强模式电力晶体管，属于OptiMOS®-T2系列。这款电子元器件芯片是专为汽车电子应用而设计的，符合AEC Q101的品质标准，具有高度的可靠性和耐久性。 该芯片的主要特点包括： 1. **工作温度范围广泛**：能够在-55到+175°C的环境下稳定工作，其中Tj的最大值为175°C。 2. **环保标准**：符合RoHS指令，是一款绿色产品，无有害物质。 3. **高浪涌电流能力**：脉冲漏极电流最大可达200A，能承受单脉冲雪崩能量87mJ。 4. **低导通电阻**：在VGS=10V、ID=50A时，RDS(on)的最大值仅为7.8mΩ，这有助于减少功耗和提高效率。 5. **严格的电压规格**：漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V、ID=1mA时为60V，且门阈电压VGS(th)在VDS=VGS、ID=35μA时介于1.2V到2.2V之间。 6. **良好的热性能**：结壳热阻RthJC的典型值为2.1K/W，对于SMD版本，在最小PCB冷却面积下，结空载热阻RthJA的最小值为40°C/W。 动态特性方面，这款芯片具有： 1. **输入电容Ciss**：在-3680到4780pF之间。 2. **输出电容Coss**：介于840到1090pF之间。 3. **反向传输电容Crss**：在-40到80pF范围内。 4. **开关时间**：快速的开启和关闭延迟，如t(d(on))在9ns左右，t(d(off))大约45ns，上升时间t(r)和下降时间t(f)未给出具体数值。 5. **门极电荷特性**：Q(gs)、Q(gd)和总门极电荷Q(g)分别为1319nC、510nC和4964nC，而门极平台电压V(plateau)约为3.6V。 此外，IPD50N06S4L12ATMA2还内置了连续正向电流的反向二极管，可提供额外的电路保护功能。 封装形式为PG-TO252-3-11，其标识为4N06L08。这款芯片的广泛应用在于汽车电子系统，例如电池管理系统、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等场景，其高效、可靠和紧凑的特性使其成为这些应用的理想选择。由于其出色的电气特性和耐高温能力，IPD50N06S4L12ATMA2在汽车电子领域有着广泛的市场认可度。