"实验五测量三极管的直流放大特性和击穿特性"
本实验的目的是测量三极管的直流放大特性和击穿特性,了解晶体管的输入和输出特性曲线,测量晶体管的直流放大系数值,以及测量晶体管的击穿特性。
一、实验目的
1. 学习晶体管特性图示仪的使用;
2. 测量晶体管的输入和输出特性曲线;
3. 测量晶体管的直流放大系数值;
4. 测量晶体管的击穿特性(BV CEO、BV EBO 和 BV CBO)。
二、实验原理
1. 输入和输出特性曲线图
共基极输入和输出特性曲线、共发射极输入和输出特性曲线
2. 双极晶体管的电流放大作用
当晶体管处于有源放大区(发射结正偏,集电结反偏)时,其电流的组成为:
IE = I Ep + I En (正向注入的空穴电流和电子电流)
IC = ICp + ICn (反向饱和漏电流)
ICp = IE - IC (从发射结注入基区又到达集电结的空穴所形成的电流)
我们定义共基极直流电流增益:β = IC / IE 总是小于 1(应尽量接近1)
定义共射极直流电流增益:α = IC / IE 越大表明电流传输过程中的损失越小)
3.晶体管的击穿特性
(1) 共射极时的击穿和对共射极接法的有源放大区中,集电极电流为:
IC = M × (IE - ICBO)
(2)晶体管的击穿特性测试电路
BVEBO、BVCBO 和 BVCEO
三、晶体管特性图示仪的使用
B J-4814 型半导体管特性图示仪的面板与机箱如图 8 和图9。
图 8 BJ—4814 型半导体管特性图示仪的面板图
图 9 BJ—4814 型半导体管特性图示仪的机箱
(1) 示波管
(2) 辉度:调整图象亮度
(3) 聚焦:调整图象清晰度
(4) 辅助聚焦:用以调整清晰度
(5) 整机电源开关
(6) 电源指示灯:此灯亮表明仪器仪器已接通电源
(7) 垂直偏转因数选择开关
(8) 零点按纽:按入显示 Y 轴零参考点
(9) 满度按纽:按入从零点上移 10 度(可用侧面的“Y 增益”调准)
(10) 垂直位移旋纽:顺时针时向上移
... (继续完善内容)
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