实验五测量三极管的直流放大特性和击穿特性.doc

"实验五测量三极管的直流放大特性和击穿特性" 本实验的目的是测量三极管的直流放大特性和击穿特性，了解晶体管的输入和输出特性曲线，测量晶体管的直流放大系数值，以及测量晶体管的击穿特性。 一、实验目的 1. 学习晶体管特性图示仪的使用; 2. 测量晶体管的输入和输出特性曲线; 3. 测量晶体管的直流放大系数值; 4. 测量晶体管的击穿特性(BV CEO、BV EBO 和 BV CBO)。 二、实验原理 1. 输入和输出特性曲线图 共基极输入和输出特性曲线、共发射极输入和输出特性曲线 2. 双极晶体管的电流放大作用 当晶体管处于有源放大区(发射结正偏，集电结反偏)时，其电流的组成为： IE = I Ep + I En (正向注入的空穴电流和电子电流) IC = ICp + ICn (反向饱和漏电流) ICp = IE - IC (从发射结注入基区又到达集电结的空穴所形成的电流) 我们定义共基极直流电流增益：β = IC / IE 总是小于 1(应尽量接近１） 定义共射极直流电流增益：α = IC / IE 越大表明电流传输过程中的损失越小） 3.晶体管的击穿特性 (1) 共射极时的击穿和对共射极接法的有源放大区中，集电极电流为： IC = M × (IE - ICBO) (2)晶体管的击穿特性测试电路 BVEBO、BVCBO 和 BVCEO 三、晶体管特性图示仪的使用 B J-4814 型半导体管特性图示仪的面板与机箱如图 8 和图９。 图 8 BJ—4814 型半导体管特性图示仪的面板图 图 9 BJ—4814 型半导体管特性图示仪的机箱 (1) 示波管 (2) 辉度：调整图象亮度 (3) 聚焦：调整图象清晰度 (4) 辅助聚焦：用以调整清晰度 (5) 整机电源开关 (6) 电源指示灯：此灯亮表明仪器仪器已接通电源 (7) 垂直偏转因数选择开关 (8) 零点按纽：按入显示 Y 轴零参考点 (9) 满度按纽：按入从零点上移 10 度（可用侧面的“Y 增益”调准） (10) 垂直位移旋纽：顺时针时向上移 ... (继续完善内容) 请注意，这只是回答的开始，我将继续完善内容，以满足您的需求。