2011 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39977C_CN
PIC18F66K80 系列
数据手册
采用 nanoWatt XLP 技术、
带 ECAN™ 的 28/40/44/64 引脚
增强型闪存单片机
DS39977C_CN 第 2 页 初稿 2011 Microchip Technology Inc.
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暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保，包括但不
限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用
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引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命
维持和 / 或生命安全应用，一切风险由买方自负。买方同意在
由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时，会维护和保障
Microchip 免于承担法律责任，并加以赔偿。在 Microchip 知识
产权保护下，不得暗中或以其他方式转让任何许可证。
商标
Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 dsPIC、
K
EELOQ、 KEELOQ 徽标、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、
PICSTART、 PIC
32
徽标、 rfPIC 和 UNI/O 均为 Microchip
Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标。
FilterLab、 Hampshire、 HI-TECH C、 Linear Active
Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL 和 The Embedded
Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc.
在美国的注册商标。
Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 chipKIT、
chipKIT 徽标、 CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、
dsPICworks、 dsSPEAK、 ECAN、 ECONOMONITOR、
FanSense、 HI-TIDE、 In-Circuit Serial Programming、
ICSP、 Mindi、 MiWi、 MPASM、 MPLAB Certified 徽标、
MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient Code Generation、
PICC、 PICC-18、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICkit、
PICtail、 REAL ICE、 rfLAB、 Select Mode、 To tal
Endurance、 TSHARC、 UniWinDriver、 WiperLock
和
ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地
区的商标。
SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。
在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
© 2011, Microchip Technology Inc. 版权所有。
ISBN：978-1-61341-328-9
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：
•Microchip的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。
•Microchip确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。
• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的
操作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。
•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。
•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “ 牢不可破 ” 的。
代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视
为违反了 《数字器件千年版权法案 （Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的
软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
Microchip
位于美国亚利桑那州
Chandler
和
Tempe
与位于俄勒冈州
Gresham
的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和
印度的设计中心均通过了
ISO/TS-16949:2002
认证。公司在
PIC
®
MCU
与
dsPIC
®
DSC
、
KEELOQ
®
跳码器件、串行
EEPROM
、单片机外
设、非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合
ISO/TS-
16949:2002
。此外，
Microchip
在开发系统的设计和生产方面的质量体
系也已通过了
ISO 9001:2000
认证。
2011 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39977C_CN 第 3 页
功耗管理模式：
• 运行：CPU 工作，外设工作
• 空闲：CPU 不工作，外设工作
• 休眠：CPU 不工作，外设不工作
• 双速振荡器启动
• 故障保护时钟监视器（Fail-Safe Clock Monitor，FSCM）
• 节能的外设模块禁止（Peripheral Module Disable，
PMD）
• 超低功耗唤醒
• 快速唤醒 （1 μs，典型值）
• 低功耗 WDT （300 nA，典型值）
• 运行模式电流最低为 3.8 μA （典型值）
• 空闲模式电流最低为 880 nA （典型值）
• 休眠模式电流最低为 13 nA （典型值）
ECAN 总线模块特性：
• 符合 CAN 2.0B Active 规范
• 三种工作模式：
- 传统模式（完全向后兼容现有 PIC18CXX8/FXX8
CAN 模块）
- 增强型模式
-FIFO模式或可编程发送 / 接收缓冲区
• 报文比特率最高可达 1Mbps
• 支持 DeviceNet™ 数据字节过滤器
• 6 个可编程接收 / 发送缓冲区
• 3 个带有优先级的专用发送缓冲区
• 2 个专用接收缓冲区
ECAN 总线模块特性 （续）：
• 16 个可动态关联的 29 位完全接收过滤器
• 3 个 29 位完全接收屏蔽器
• 自动远程帧处理
• 高级错误管理功能
单片机特性：
• 工作电压范围：1.8V 至 5.5V
• 片上 3.3V 稳压器
• 工作速度最高可达 64 MHz
• 最大 64 KB 的片上闪存程序存储器：
- 10,000 次擦 / 写操作（典型值）
- 最少 20 年数据保存时间（典型值）
• 1,024 字节的数据 EEPROM：
- 可进行 100,000 次擦 / 写操作的数据 EEPROM
存储器（典型值）
• 3.6 KB 的通用寄存器 （SRAM）
• 3个内部振荡器 ：LF-INTOSC（31 KHz）、MF-INTOSC
（500 kHz）和 HF-INTOSC（16 MHz）
• 可在软件控制下自编程
• 中断优先级
• 8 x 8 单周期硬件乘法器
• 扩展型看门狗定时器（Watchdog Timer，WDT）：
- 可编程周期从 4 ms 至 4,194s
• 通过两个引脚进行在线串行编程（In-Circuit Serial
Programming™， ICSP™）
• 通过两个引脚进行在线调试
• 可编程 BOR
• 可编程 LVD
表 1： 器件比较
器件
程序
存储器
数据
存储器
（字节）
数据 EE
（字节）
引脚数
I/O
CTMU
12 位 A/D
通道数
CCP/
ECCP
8 位 /16 位
定时器
EUSART
比较器
ECAN™
MSSP
BORMV/LVD
DSM
PIC18F25K80 32 KB 3,648 1,024 28 24 1
8 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18LF25K80 32 KB 3,648 1,024 28 24 1
8 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18F26K80 64 KB 3,648 1,024 28 24 1
8 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18LF26K80 64 KB 3,648 1,024 28 24 1
8 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18F45K80 32 KB 3,648 1,024 40/44 35 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18LF45K80 32 KB 3,648 1,024 40/44 35 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18F46K80 64 KB 3,648 1,024 40/44 35 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18LF46K80 64 KB 3,648 1,024 40/44 35 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有无
PIC18F65K80 32 KB 3,648 1,024 64 54 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有有
PIC18LF65K80 32 KB 3,648 1,024 64 54 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有有
PIC18F66K80 64 KB 3,648 1,024 64 54 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有有
PIC18LF66K80 64 KB 3,648 1,024 64 54 1
11 路通道
4/1 2/3 2 2 1 1
有有
PIC18F66K80 系列
采用 nanoWatt XLP 技术、带 ECAN™ 的
28/40/44/64 引脚增强型闪存单片机
PIC18F66K80 系列
DS39977C_CN 第 4 页 初稿 2011 Microchip Technology Inc.
外设特点：
• 5 个 CCP/ECCP 模块：
-4个捕捉/比较/PWM（Capture/Compare/PWM，
CCP）模块
-1个增强型捕捉/比较/PWM（Enhanced Capture/
Compare/PWM， ECCP）模块
• 5 个 8/16 位定时器 / 计数器模块：
-Timer0 ：带有 8 位可编程预分频器的 8/16 位定
时器 / 计数器
- Timer1, 3：16 位定时器 / 计数器
- Timer2, 4：8 位定时器 / 计数器
• 2 个模拟比较器
• 可配置的参考时钟输出
• 充电时间测量单元（Charge Time Measurement Unit，
CTMU）：
- 电容测量
- 时间测量，分辨率典型值为 1 ns
- 集成参考电压
• 高灌 / 拉电流：25 mA/25 mA（PORTB 和 PORTC）
• 最多 4 个外部中断
• 1 个主同步串行口（Master Synchronous Serial Port，
MSSP）模块：
-3/4线 SPI （支持所有 4 种 SPI 模式）
-I
2
C™ 主 / 从模式
• 2 个增强型可寻址 USART 模块：
- 支持 LIN/J2602
- 自动波特率检测 （Auto-Baud Detect， ABD）
• 最多具有 11 路通道的 12 位 A/D 转换器：
- 自动采集和休眠操作
- 差分输入工作模式
• 数据信号调制器模块：
- 从各种模块输出中选择调制器和载波源
• 集成参考电压
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PIC18F66K80 系列
引脚图
RA1/AN1
RB3/CANRX/C2OUT/P1D/CTED2/INT3
RA2/V
REF-/AN2
V
DDCORE/VCAP
RA5/AN4/C2INB/HLVDIN/T1CKI/SS/CTMUI
OSC1/CLKIN/RA7
28 引脚 QFN
(1)
1
2
3
4
7
5
6
21
20
19
18
15
17
16
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
RA0/CVREF/AN0/ULPWU
MCLR
/RE3
RB7/PGD/T3G/RX2/DT2/KBI3
RC0/SOSCO/SCLKI
RC1/SOSCI
RC2/T1G/CCP2
RC3/REFO/SCL/SCK
PIC18F2XK80
PIC18LF2XK80
RA3/VREF+/AN3
V
SS
OSC2/CLKOUT/RA6
RB2/CANTX/C1OUT/P1C/CTED1/INT2
RB1/AN8/C1INB/P1B/CTDIN/INT1
RB0/AN10/C1INA/FLT0/INT0
V
DD
VSS
RC7/CANRX/RX1/DT1/CCP4
RC4/SDA/SDI
RC5/SDO
RC6/CANTX/TX1/CK1/CCP3
RB6/PGC/TX2/CK2/KBI2
RB5/T0CKI/T3CKI/CCP5/KBI1
RB4/AN9/C2INA/ECCP1/P1A/CTPLS/KBI0
注 1： 对于 QFN 封装，建议将底部焊盘连接到 VSS。
