用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2+成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
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