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模拟技术中的常用MOSFET技术参数
模拟技术中的常用MOSFET技术参数
模拟技术
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模拟技术中的电压高(120VP-P)的功率MOSFET放大器
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电路的能功 要使放大后的波形与输入波形相似,放大电路必须采用对称电路,而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路,各级均为推挽对称电路,可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及很高的转换速度。 输出级的功率元件选用了功率MOSFET,以求改善高频特性和防止因负载异常而损坏元件。 电路工作原理 本电路由四部分组成,输入级为NPN晶体管差动放大
模拟技术中的利用MOSFET降低传导和开关损耗
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金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高,也要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力
模拟技术中的提供低损耗大功率的MOSFET
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硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。 本例给出了一个更经济的方案,它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管,代替了传统的功率二极管。图1显示了
模拟技术中的低导通电阻MOSFET提升数据中心效率
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飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件,它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)最小的MOSFET器件,而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。 通过*测,MO
模拟技术中的LM4702驱动MOSFET输出级
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美国国家半导体公司 引言 本应用注释提供了关于美国国家半导体最新的高性能、超高保真的音频放大器驱动IC的设计持信息。 及其派生产品可以为音频功率放大器提供高可靠性的、全集成、超高端输入级解决方案。LM4702的宽带、全互补双极型设计在音频范围内能表现出极佳的保真性能。它的±100V工作电压范围允许功率水平达到450W和900W,负载分别为8Ω和4Ω。 点此下载全文PDF资料
功率MOS管主要参数-功率MOSFET每一个参数介绍.docx
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功率MOS管主要参数-功率MOSFET每一个参数介绍
电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通MOSFET并联技术应用电路分析等技术资料180个合集.zip
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电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通MOSFET并联技术应用电路分析等技术资料180个合集 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf (核心)功率MOSFET安全工作区SOA:真的安全.pdf (核心)功率...
国外MOSFET管参数对照手册
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常用的功率MOSFET管的参数对照代换表,对管子选型或者替换有一定帮助
MOSFET栅极应用电路分析汇总.zip
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功率MOSFET反向特性的分析模拟 功率MOSFET和IGBT 功率MOSFET雪崩击穿问题分析 关于MOS管的15个为什么 胡炎申-MOSFET驱动电路的设计与仿真 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及...
模拟技术中的详解MOSFET的驱动技术及应用
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MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。 首先,来做一个实验,把一个MOSFET的G悬空,然后在DS上加电压,那么会出现什么情况呢?很多工程师都知道,MOS会导通甚至击穿。这是为什
模拟技术中的满足开关电源要求的功率MOSFET
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近年来,电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大(某些电源系统输出几十安培到上百安培)。因此,电源设计中采用开关电源控制器、加上多个驱动器及功率 MOSFET组成的多相开关电源能满足这种要求。若采用多相控制器与功率MOSFET组成的结构,应用十分灵活,可以根据输出电流的大小合理选择开关管及同步整流管,并且可获得很好的转模效率及低的纹波电压。 为减少在工作频率高时的开关管损耗,要求开关管的栅极
模拟技术中的LTC4444-5:MOSFET驱动器
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描述 LTC:registered:4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下
模拟技术中的面向OR-ing应用的功率MOSFET(Vishay)
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日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。 在企业服务器网络中,OR-ing 功能可在主电源出现故障时接通冗余电源,以确保为系统持续供电。由于 MOSFET 承载来自正在运行的电源的整个负载,因此降低这些器件的功耗可
常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
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因IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动。MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
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大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术,希望对大家有帮助
模拟技术中的MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
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下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通...
功率MOSFET关键参数解读.pdf
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MOSFET关键参数的解读: VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见...
MOSFET并联技术驱动电路设计高速MOS驱动功率MOSFET管设计资料10个合集.zip
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MOSFET并联技术驱动电路设计高速MOS驱动功率MOSFET管设计资料10个合集 MOSFET并联技术.zip MOSFET特性参数的理解.pdf MOSFET驱动电路设计参考.pdf 功率MOSFET并联应用及研究.pdf 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf ...
模拟技术中的基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制
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为了推动微波功率合成技术的发展,需要开展多路同步输出的脉冲功率源开关关键技术研究,以实现电子束精确同步(同步抖动≤10 ns),源输出波形一致性好,满足负载工作要求。在气体开关的各种触发方式中,激光触发开关...
模拟技术中的LTC4446:N沟道MOSFET驱动器
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描述 LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流,而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流,而其下拉电路则
模拟技术中的估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升
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我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔MOSFET 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。 本文中,我们把图1 所示模型的瞬态响应与图3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。 图1 将散热容加到DC 电气模拟电路上 根据CSD17312Q5 MOSFET、引线框以及贴装MOSFET
模拟技术中的MOSFET驱动器介绍及功耗计算
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我们先来看看MOS关模型: Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是 耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。 Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。 这些电容都是由Spec上面的Crss,
模拟技术中的估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分
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在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。 图 1
模拟技术中的估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分
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在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中,我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间,热插拔器件可以完成这项工作。结果,该串联组件具有巨大的损耗,并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区
电源技术中的功率MOSFET并联均流问题研究
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Q轨迹引言随着电力电子技术的迅速发展,功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是,功率MOSFET容量的有限也成了亟待解决的...
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MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟,夏春梅,贺朝会,用DESSIS器件模拟软件对MOSFET的单粒子效应进行了研究,模拟的结果与电荷漏斗模型[1]相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性。在不同
开关电源中几种常用的MOSFET驱动电路
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MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
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MOSFET选型所需要注意的参数
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