模拟技术中的提供低损耗大功率的MOSFET

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板，一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失，或相当于受控能量的5%。此外，为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。 　　本例给出了一个更经济的方案，它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管，代替了传统的功率二极管。图1显示了采用一只MOSFET晶体管Q1的整流电路，MOSFET管在on状态下有低的漏-源电阻。电路中，V2代表一个36V的交流电源。负载包括9Ω电阻RL和25 mH线圈L1。当电源正极高于漏极电压负极时，比较