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将两种亲水表面(如二氧化硅)紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 BESQI的制作分如下三个步骤:(1)氧化两个基片,为键合做准备;(2)化学键合两个氧化基片;(3)减薄其中一个基片。 键合化学法较复杂,这里就不详述了。在一般情况下,首先在室温下进行初步键合,然后再在1100℃的高温下增加键合强度。 硅片减薄有几种不同的工艺,最通常的是化学机械抛光(CMP),这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高,通常表层硅为10 gm左右。如果想使顶层硅更薄,常用的办法是先对硅进行重P型掺杂,然后再外延一层轻掺杂的硅作为光波
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