ITO透明导电薄膜的制备综述.doc
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2019-09-05
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ITO 透明导电薄膜的制备综述
摘要
概述了透明导电薄膜的分类以及 ITO 薄膜的基本特性，综述了 ITO 薄膜主
要的制备技术及其研究的进展，并指出了不同制备方法的优缺点。最后对 ITO
薄膜的发展趋势进行了展望。
可见光透过率高而又有导电性的薄膜成为透明导电薄膜。它既有高导电性，
又在可见光范围内有很高的反射性。这种光电薄膜材料出现打破了人们的传统
观念，成为功能材料中具有特色的一类薄膜，在光电产业中有着广阔的应用前
景。
透明导电薄膜的种类主要有金属膜、氧化物膜、多层复合膜和高分子膜等，
其中氧化物膜占主导地位。透明导电氧化物（Transparent Conductive Oxide ,称
TCO）薄膜主要包括 In，Sn，Zn，Cd 的氧化物以及其复合多元氧化物薄膜
[1]
。1907 年 Badeker 首先制备并报道了 CdO 透明导电薄膜
[2]
，将物质的透明性和
导电性这一矛盾统一起来。随后的几十年中，人们发现和研究了多种材料的
TCO 薄膜，并且不断扩大它们的用途。目前研究人员主要集中在对 SnO
2
基、
In
2
O
3
基以及 ZnO 基透明导电薄膜的研究，而掺锡 In
2
O
3
（简称 ITO）薄膜又是
当前研究和应用最广泛的一种透明导电薄膜。
1. ITO 薄膜材料的基本性质
ITO 薄膜具有复杂的立方铁锰矿结构，其特性主要有
[3]
：
（1）导电性能好（电阻率可低达 10
-4
Ω·cm），带隙宽 3.5~4.3eV，载流子浓度
（10
21
cm
-3
）和电子迁移率（15~45cm
2
V
-1
s
-1
）较高；
（2）在可见光波段透过率，可达 85%以上；
（3）对紫外线的吸收率较高，可达 85%以上；
（4）对红外线具有反射性，反射率高于 80%；
（5）对微波具有衰减性，衰减率可达 85%以上；
（6）膜层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀（氢氟酸等除外）；
1
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