GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延 (1975年)

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs―Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000―2000安培/平方厘米。