高性能S、C波段声表面波微波延迟线

随着晶片材料和半导体工艺技术水平的快速发展，本文作者通过扇型结构声表面波换能器的拓扑设计，晶片材料和制作工艺流程的优化设计，研制出S、C波段声表面波（SAW）微波延迟线，它比声体波（BAW）微波延迟线的结构、生产工艺流程更加简单，体积更小，延时精准度高、一致性好、可靠性高，更适合量产。