金红石（TiO2）单晶体的生长研究 (2004年)

通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果，研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件。结果表明：炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素，在合适的气氛条件下，晶体易于生长，生长速度范围较宽，可以长成较大尺寸的单晶体，否则，依赖调整（增加或降低）生长速度，不能形成完整的晶体。炉膛气氛中的氧分压大于液固界面（即生长界面）处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件；晶体在退火过程中消除热应力，但更重要的是氧化反应，消除氧空位，在氧气氛中退火，可明显缩短退火时间，并能获得呈透明状，微有浅黄色（金红石本色）的金红石单晶体。