导读：随着亚微米、深亚微米技术和系统芯片（SOC）技术的日益成熟，功耗已经成为模拟电路设计中首要考虑的问题，低电压低功耗集成电路设计渐渐成为主流。
因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零
