低电压、低功耗模拟电路设计方案

导读：本文研究了衬底驱动MOS管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法，并且运用这种技术设计低电压低功耗衬底驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。 　　随着亚微米、深亚微米技术和系统芯片（SOC）技术的日益成熟，功耗已经成为模拟电路设计中首要考虑的问题，低电压低功耗集成电路设计渐渐成为主流。因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。 　　由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，