通过光谱椭偏仪（SE），X射线光电子能谱仪（XPS）和电学测量研究了通过溅射生长的HfTiON / Si的界面控制，能带排列和电学性质对成分的依赖性。 XPS的分析已经证实，无论组成比如何，都不可避免地形成了由硅酸盐和SiO（x）组成的界面层。 同时，随着Ti组成的增加，已经检测到HfTiON膜的带隙减小和不对称带取向。 为了满足势垒高度超过1 eV的高k电介质的要求，需要仔细优化掺入组成比。 结果，具有优化的Hf：Ti = 1：1组成比的HfTiON栅极介电MOS电容器已实现了改善的CV特性和降低的漏电流，这可以归因于氧相关陷阱的减少以及所获得的接近相对于Si的对称带对齐。<br>
