产品型号:NTD12N10T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:12 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.20
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