产品型号:NTD12N10-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175描述:100V,12A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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