设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路，获得两倍于电源电压的驱动电压，用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压，实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时，基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性，提升了存储器在整个工作温度范围（-40 ℃~85 ℃）内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13 μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现，工作电压为1.3 V~1.75 V，面积大小为600 μm×80 μm。
本文主要介绍了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内高压产生电路设计，该电路能够为EEPROM的擦写操作提供必要的15 V高压，确保其在1.3 V低电源电压下稳定工作。设计中，采用了电压倍乘电路和电荷泵技术，结合负温度特性的电压分压电路，以提升存储器在整个工作温度范围内的可靠性。
电压倍乘电路是电路的核心部分之一，它能够在电源电压较低的情况下，通过交叉连接的NMOS和PMOS器件以及电荷泵电容，将输入电压倍增为两倍，从而为电荷泵提供足够的驱动电压。这种设计克服了传统Dickson结构电荷泵在低电源电压环境下的局限性。
电荷泵电路由多个电压倍乘子级联而成，通常级联的级数越多，输出电压越高。在这个设计中，采用了10级电压倍乘电路，理论上可输出(N+1)·VDD的电压，即11·VDD，但由于非理想因素，实际输出会略低于理论值。
电压稳压电路对于维持电荷泵输出电压的稳定至关重要，它包含分压电路和比较器。分压电路利用负温度系数的特性，使电荷泵的输出电压随着温度的变化而调整，以保持在15 V的设定值。当电荷泵输出电压过高或过低时，比较器根据反馈信号VFB与基准电压VREF的比较结果，控制时钟驱动电路，从而使电荷泵的输出保持在安全范围内。
整个高压产生电路在0.13 μm嵌入式EEPROM CMOS工艺下实现，工作电压为1.3 V至1.75 V，面积紧凑，仅为600 μm×80 μm。这样的设计满足了物联网设备对低功耗、小型化以及高可靠性的要求，特别是在温度变化较大的环境下，能保证EEPROM的稳定擦写和数据存储。
这种创新的EEPROM高压产生电路设计，结合电压倍乘和电荷泵技术，有效解决了低电源电压环境下EEPROM的高压供应问题，提高了其在宽温范围内的工作可靠性，对于推动物联网和RFID芯片的发展具有重要意义。
