GaAs器件质子辐照效应模拟研究

GaAs器件质子辐照效应模拟研究 ，李永宏，张力，本文利用Geant4软件模拟了质子入射GaAs MOSFET器件中产生的位移损伤效应，结果显示能量越高核反应过程越复杂，产生的PKA种类也越多，低�