没有合适的资源？快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
课程资源
专业指导
半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展.pdf
半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展.pdf
1.该资源内容由用户上传，如若侵权请联系客服进行举报
2.虚拟产品一经售出概不退款（资源遇到问题，请及时私信上传者）
版权申诉
导体技术
导体研究
参考文献
专业指导
0 下载量
41 浏览量
2021-08-29
22:28:50
上传
评论
收藏
174KB
PDF
举报
温馨提示
618特惠：¥9.90
19.90
半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展.pdf
资源推荐
资源评论
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展.pdf
浏览：163
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展.pdf
《自然》报道半导体所在光催化研究中取得重要进展.pdf
浏览：2
《自然》报道半导体所在光催化研究中取得重要进展.pdf
半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果.pdf
浏览：59
半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果.pdf
新型有机半导体材料研究取得系列进展.pdf
浏览：6
新型有机半导体材料研究取得系列进展.pdf
磁性半导体研究取得进展.pdf
浏览：95
磁性半导体研究取得进展.pdf
双波长量子阱GaAs半导体激光器
浏览：16
日本三菱电机公司中央研究所，最近试制成一种通过改变注入电流的大小，可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚，它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条宽亦经适当选择，...
高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
浏览：139
介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造。在(100)GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs...
波长在5~15微米波段的半导体激光器
浏览：13
最初在室温下连续振荡的半导体激光器是GaAlAs-GaAs...本文介绍一种振荡波长更长，用于高分辨率红外光谱和大气污染监测的波长可调的半导体激光器的现状及未来，可以预计对这 个分支的需要将扩大，其研究人员也要增加。
我国(Ga,Mn)As磁性半导体研究取得进展.pdf
浏览：189
我国(Ga,Mn)As磁性半导体研究取得进展.pdf
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展.pdf
浏览：54
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展.pdf
中德磁性半导体研究取得进展.pdf
浏览：154
中德磁性半导体研究取得进展.pdf
GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究.pdf
浏览：166
GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究.pdf
我国低维半导体纳米材料研究取得进展.pdf
浏览：86
我国低维半导体纳米材料研究取得进展.pdf
新型隧道带间级联双波长半导体激光器
浏览：73
提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想，并以GaAs为隧道结，InGaAs应变量子阱为有源区，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了含有两个有源区的双波长半导体激光器。制备了90 μm...
量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器
浏览：95
并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为340 mW,和...
940 nm高功率半导体激光器研究
浏览：166
设计的激光器外延结构采用分子束外延（MBE）方法生长,成功获得具有较低激射阈值的940 nm波长激光器外延片。对100 μm条形,1000 μm腔长的制备器件测试表明,器件的最大连续输出功率达到2 W,峰值波长为939.4 nm,远场...
GaAs激光器峰值输出150瓦
浏览：87
美帝标准电信实验室的多布森（C. D. Dobson)已成功地用砷化镓研制出一种半导体激光器，在77 °K(液氮温度)处运转时，峰值脉冲输出为150瓦，平均输出为1瓦。还克服了表面损坏的问题。
AlIn GaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究 (2006年)
浏览：84
结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器．在20℃时，特征温度可达到200 K，阈值电流380 mA，而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器，最大...
半导体所2μm波段InP基量子阱激光器取得重要进展.pdf
浏览：41
半导体所2μm波段InP基量子阱激光器取得重要进展.pdf
上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展.pdf
浏览：164
上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展.pdf
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展.pdf
浏览：180
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展.pdf
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展 (1).pdf
浏览：9
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展 (1).pdf
宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf
浏览：124
宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展.pdf
光抽运半导体激光器增益特性研究
浏览：8
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用...增益峰值波长和发射波长之间合适的偏差,会使光抽运半导体激光器的阈值电流和工作电流随温度有较小的变化。
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
浏览：122
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-...利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806～809 nm。
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 (2001年)
浏览：142
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出 GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN...利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 w，峰值波长为806～809 nm。
大功率高光束质量1060 nm大光腔非对称波导半导体激光二极管
浏览：8
设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有...
一种多用途的三镜半导体激光器
浏览：175
加利福尼亚州Segrmdo航天公司的三个科学家已搞出一种新的半导体激光二极管设计，它可以将单纵模同双频或多模窄带操作结合起来使用...科学家通过检验它的本领在这种激光器中已观察到工作电流1.5倍于阈值时的单纵模运转。
评论
收藏
内容反馈
1.该资源内容由用户上传，如若侵权请联系客服进行举报
2.虚拟产品一经售出概不退款（资源遇到问题，请及时私信上传者）
版权申诉
618特惠：¥9.90
19.90
资源评论
资源反馈
评论星级较低，若资源使用遇到问题可联系上传者，3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
数据资源
粉丝: 119
资源:
23万+
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场，查看用户热搜
最新资源
wireshark安装教程入门
基于C#+Mysql实现的房屋租赁管理系统（数据库课程设计）【课程报告+源码】
基于 C++学生成绩管理系统（mfc课程设计）
天若OCR文字识别V4.48.zip
labview课程设计
GDUT 编译原理课程的课内实验和课程设计
基于MATLAB实现的一个音乐播放器音乐特效处理时域与频域波形显示等源码+项目说明.zip
注册与表格显示.rar
2023-04-06-项目笔记 - 第一百六十三阶段 - 4.4.2.161全局变量的作用域-161 -2024.06.13
pytorch安装教程gpu
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议，欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理！
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益，开通VIP直接复制
信息提交成功
