分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出 GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 w,峰值波长为806~809 nm。
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