利用一种改进的液相外延技术进行了GaAs衬底上InGaAsO材料的生长,10 K温度下光荧光半宽度(FWHM)为14 MeV,获得了阈值电流密度为300 A/cm2的SCH多层结构外延片,宽台面激光器最大连续输出功率达到2.1 W。
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